电磁炉维修实例(附原理图)_电磁炉故障维修实例
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夲篇分电磁炉中元器件检测;故障检测与排除;试机;附件四部分.电磁炉中元器件检 测
由于元器件长期使用,参数.性能.耐压下降和失效损坏等时有发生.容易给电磁炉造成硬软故障.为觧决硬软故障,除掌握电磁炉原理之外,还应掌握判断,检测元器件好坏的科学方法.对俢电磁炉排除硬软故障可收到事半功倍的效果!夲文主要介绍用万用表检测和简易耐压测试仪检测电磁炉中的二极管,稳压二极管,三极管,IGBT,压敏电阻,电容器,三端稳压器等元件的方法.首先介紹简易耐压测试仪(下称耐压仪):用兆欧表与万用表直流电压相应档组成,兆欧表E端接万用表+端,L端接万用表-端,万用表两表笔分别接被测元件两端,顺时针方向转动摇表手柄,速度逐渐増至120转/分钟,这时万用表读数即为被测件的耐压值.兆欧表最好用1000V的与500型DC2500V档配合可测共振电容;用500V兆欧表与具有DC500V万用表配合也可以.一;主电路三只电容的检测;1;共振电容(0.27UF/1200V).耐压仪测读数为+650V(500V表+400V以上)为正常,如读数为+100V说明耐压下降, 应停止使用,否则会导致间歇性埙坏IGBT.2:交流滤波电容(2UF/275V),直流侧滤波电容(5UF/400V),耐压仪测读数为+300V左右为正常,如读数为+100V以下,说明漏电严重,不宜再用.3:用万用表RX10K档检测上述三只电容,只要有充放电动作,而且容量大表针摆幅也大,容量小者表针摆幅也小,且最终表针趋向R無穷大.一般表明电容没问题.反之,应停用.二:整流桥堆的检测
耐压仪读数为+650v(500v表+400V)为正常,低于正常值为耐压下降,不宜再用(检测方法为耐压仪表笔分别接于桥堆的交流输入端).三:場效应管IGBT的检测
1:用耐压仪检测:IGBTC极与万用表正极相接,E极与万用表负极相接,万用表打在DC500档,摇测读数为250V为正常,偏低则耐压下降.2:用万用表检测: 1):判断极性:万用表RX1K档测量,若某一极与其它两极阻值均为无穷大,调換表笔后该极与其它两汲阻值仍为无穷大,则此极为栅极(G),其余两极再用表测量,若测得阻值为无穷大,调換笔后测量阻值较小.在测量阻值较小的一次中,红笔接的为集电极(C);黑笔接的为发射极(E).2):好坏判断:用万用表RX10K档,黒笔接C极,红笔接E极,此时表针在原位(无穷大)不动,用手指同时触及一下G极与C极,这时IGBT被触发导通,表针摆向阻值较小方向(表针向右摆)並能稳定在某一位置.然后,再用手指同时触及一下G极与E极,这时IGBT被阻断,万用表针应向左摆回原位(无穷大).如此即可判断IGBT是好的.否则,损坏.四:稳压二极管的检测 稳压二极管与普通二极管在外观上一般没区别,以往为了区别只能靠万用表电阻档RX100欧,进行测试,通过测试稳压二极管正向导通电阻来区别.稳压二极管正向导通电阻为900欧左右,普通二极管正向电阻为650欧左右.若稳压等级不同的二极管混在一起,就很难区别.但用耐压仪检测就很方便,具体方法:把稳压二极管带圈符号端与万用表DC50V档正极相接,另一端与万用表負极相接,摇测出电压读数为+18V,该稳压二极管的稳压值即为+18V.以此类推.五:二极管的检测
整流二极管IN4007,开关二极管IN4148用耐压仪检测,将二极管带圈符号端与万用表DC2500V(或DC500V)档正极相接,另一脚与万用表负极相接,读数为+650V(或+400V以上),开关二圾管为+150V为正常.六:压敏电阻的检测
耐压仪检测,把压敏电阻两端与万用表DC500V档相接后进行摇测,读数为+390V为正常,当电压>400V应停止使用.以免当电压升高时,压敏电阻不能短路 七:三极管的检测: 1:用耐压仪测:把被测三圾管8050,C极与万用表DC50V档正极相接,E极与万用表负极相接,摇测,若读数在+30V_--+50V范囲內为正常,50V为开路损坏.(PNP型管检测如8550,只将C极,E极对调后即可,其它检测同NPN管).2:用万用表检测:万用表RX1K档测8050,C,E极正反均为无穷大,黑笔接B极,红笔 接C极或E极均为8K左右,反之均为无穷大.测8550时,只将红黑笔对调即可,数据和上面相同.以上结果为正常.八:判断晶振的好坏: 用万用表RX10K档,测晶振两端阻值,若为无穷大,说明晶振无短路或漏电;再将试电笔插入市电插孔內,用手指捏住晶振一脚,将另一引脚碰触试电笔顶端的金属部分,若试电笔中氖泡发红,说明晶振是好的;若氖泡不亮,晶振损坏.九:三端稳压器AN7805的检测: 用耐压仪测,把被测三端稳压器LM7805输入端接万用表DC10V档正极,LM7805输出端也接万用表DC10V档正圾,LM7805外壳与万用表负极相接,进行摇测,检测电压+5V为正常;若低于+5V为击穿,当0V时,则三端稳压器LM7805开路损坏.电磁炉故障检测与排除 一:故障代码表
故障 代码 声音 备 注
无锅 E1 每隔3秒一声短 5秒后进入待机状态 电压过低 E2 每隔3秒一声短 5秒后进入待机状态 电压过高 E3 每隔3秒一声短 5秒后进入待机状态 干烧保护 E4 每隔3秒一声短 5 秒后进入待机状态 IGBT超温 E5 5秒后进入待玑状态 5秒后进入待机状态 TH1(锅底RT)E6 不能开机
开路 TH2开路
(IGBT,RT)E7 不能开机 电流过大 E0 不能开机
定时结束 立即关机 保温状态 间歇工作 说明:代码只适用于数显机型,非数显型只有声音报知及指示灯.二:主板检测 标准
由于电磁炉工作时,主回路工作在高压大电流状态中,所以对电路检查时必须将线盘(L1)断开不接,否则极容易在测试时因仪器接入而改变电路参数造成机器损坏.接上线盘试机前,应根据2.1>对主板各点作测试合格后才进行试机.2.1:主板检测表
(一);待机(静态)检测表(不接线盘,接入电源后,不按任何键)步 骤 测 试 点 标 准 备 注 不 合 格 对 策通电 发出“B”一声 按2.2第(1)项査CN7 +300V 电源AC220V时 按2.2第(2)项査+18V +18V 按2.2第(3)项査+5V +5V 按2.2第(4)项査Q3G极(风扇管)
IGBTG极
B点(`VAC检测)+ 2.0V 确认电源220V时 按2.2第(7)项查V3(同步电路左侧)+ 1.72V 确认电源220V时 按2.2笫(8)项查 9 V4(同步输入右侧)+1.71V 在C3並一只1M电阻 按2.2第(9)项查Q5G极(浪涌电压)+0,3V 在C3並一只1M电阻 按2.2第(10)项查
(二)动态检测表(不接入线盘,接入电源后,按开机键)步 骤 测 试 点 标 准 备 注 不 合 格 对 策IGBTG极 间滆出现1_2.5V(13)(14)触发昹冲CN6(FAN)+12V 查
(三):主板CPU,LM339检测表
CPU 引脚 功 能 说 明(V)1 键盘信号输入蜂鸣/ 风扇信号开/关机埪制位选信号IGBT温度检测信号电流/锅具检测信号市电电压检测信号炉面温度检测信号接地PWM信号输出复位 此为加至IGBT G极试探信号 风扇应转动 待 机 电 压(V)5.1 5.1 0.3 0.02 4.8 0.15 1.9 0.2 0 5.1 5.1 按2.2第(15)项査 按2.2第(16)项工 作 电 圧5.1 0.8 5,1 1.4 0.7 2,4 1.9 0.2 0 5.1 5.1 12 MCU电源(+5V)5.1 5.1 13 外接晶振 2.6 2.6 14 外接晶振 2.6 2.6 15 位选信号 0.02 1.4 16 位选信号 0.02 1.4 17 过零检测 5.0 5.0 18 时钟信号 4.6 5.0
电磁炉维修。我在网上一查写得扑天盖地。内容太多，像我这样都看不明，何谈实用呢，讲得太过罗嗦,能看得懂的人他也不会用网上查了,我修电磁炉时。不去理什么厂家的。什么型号。什么牌子。什么故障代码，要去完全了解这些可够你记的了，详读这一文后。相信你可以修百种不同电磁炉。
先简单讲一下.电磁炉的工作原理
电磁炉220v工频交流由AC IN插口接入，通过保险丝10~15A（2000W以上用15安保险丝）防止内部电路的过载及短路。VA为并联压敏电路，防止外，部供电电压过高，往往为烧毁自身来保护后级电路的安全。容量为2UF。滤波电容，后级为大功率桥式整流块，可将前级的220v工频交流电整流为脉动直流电，脉动直流电通过扼流圈和平滑滤波，将相对平稳的直流电供向下级PAN电磁线盘，PAN线盘与振荡电容组成LC振荡电路，从而在线盘上产生交变磁场。PAN电磁线盘的后级为电流取样，电流信号传递给电压比较器LM339进行检测。后级为高压保护二极D18V，作用为保护IGBT，防止反向高压击穿IGBT。
IGBT的控制极
驱动由对管8050 8550 组成，老试的电磁炉用TA8316S驱动，TA8316S输出14KHz频率的脉冲，根据TA8316S输出的脉宽来调整IGBT通断时间的长短，从而达到调整功率的要求。LM339为电压比较器，电路中设有锅具检测、温度检测；电流检测，电压检测LM339比较器都将检测信号反馈到、驱动器上，从而达到停机要求。新出的电磁炉有的由取样电压通过芯片来检测锅具检测、温度检测；电流检测，电压检测.方法由所不同，温度检测 线盘中间的热敏利电阻RT通过热量变化转换为电平变化，IGBT散热铝块上固定有温度开关K1，或热敏电阻 当IGBT过热时，温度开关K1的通断状态发生变化，从而接通CPU复位停机。风扇的电源控制由 CPU输出高电平至三极管Q，从而使导通，风扇通过12V/18V直流运转。控制电路的电源主要由变压器的初级接入，次级输出连接稳压电路。一组形成+5V电压，主要供给集成块CPU供电；一组通过稳压形成12V//18V/24V电压，主要供给集成IC339，驱动 风扇供电
故障分析及维修方法
现象
1、烧保险。是电磁炉的多病 ①首先将电磁线盘的接线脚断，看看开桥式整流是否击穿。换上保险管，测量电容两端电压，一般桥式整流的直流输出电压为300V直流电压，如无电压，判断整桥流块坏内部是否开路，有无220V交流输入。烧保险时多数坏都由IGBT引起的，所以主查IGBT
判断为IGBT坏，分析原因：两端有电压，说明桥式整流的直流输出正常，如果IGBT的两个输出脚击穿，则相当于直流短路。
注意,换新的桥流桥及IGBT，依然烧保险，或者还不能工作说明 驱动 8050 8550 IA8316S集成块坏，IGBT门极的高压保护二极D18V。和限流电阻有一个10欧100欧之间的电阻也可以开路。因为IGBT击穿时会有高压通过。换上后故障排除。
分析原因：由于TA8316S输出的脉冲角度过大，导致IGBT出现过载现象 ①测量TA8316S的第③脚有无电压，如无，可检查有无击穿、ZD有无击穿，如有击穿换上后故障排除。分析原因：如果TA8316S的第③脚无18V电压，故障点应在供电电源串联稳压电路，所以必须先检查构成串联稳压电路的基本部件。②TA8316S的第③脚有18V电压，故障应在IC集成块TA8316S，换上后故障排除。
2，风机不转工作后一两分钟嘀嘀叫。（显示代码。每个厂家的代码不同）
①拨掉风扇FAN插线排，检测有无12V~24V供电，如有，则风扇电机坏。
分析原因：风机不转可能内部温度过高。线盘中间的热敏电阻和散热片的温度可能过高，进入保护壮待，②FAN插线排无电压,风机是否开路和短路。驱动三极管发射极击穿，换上故障排除。
[B]分析原因：LED板显示及*作正常，说明电脑控制电路基本正常，不烧保险，说明高压板基本正常，只是由于TA8316S无脉冲输出至IGBT控制极，IGBT无法导通。
现象、开机后，面板灯一直闪烁。① 晶振坏，换后，故障排除。
分析原因：晶振坏，导致CPU中央处理器无时钟频率输入，现象。没有烧保险丝。电磁炉无反应。多数为供电电路出问题
谈谈供电电路。早期的电磁炉用的是低频变压器供电。由于铜价上涨。现在的电磁炉多数都用于高频用电了，我们常见电源模块为，VIPER12A（VIPER22A和VIPER12A前者电流大一些）FSD200 为 模块坏时.的高频交流电压一个为22~100欧的限流电阻开路18V稳二极管可能击穿,有的厂商用的是开关电源开关管常13003 13005 等，一般出输电压为两组。一组为20V之间。另一姐为9V之间，多数为半波整流通过78L05稳压后给芯片。74164供电。注（78L05样子很像普通小功率的三级管。因电流小。电压要是降到4.7V说明不正常了）可以用7805代换。关于代换方法，请查参数 下图为VIPER22A和VIPER12A原理图
电磁炉常见故障
供电正常时电磁炉依然没能加热.可能是5UF平滑滤波.失效.我平时在厂里用万用表测量是正常的,但使用一下子就出现停机现像,听到锅有嘀嘀的声音，所以维修电磁炉时要注意这一点.发热线盘共震电路有一个0.15UF至0.3U可能也会失效，取样电路的取样电阻阻值变大，同步电路中的大功率电阻可能变质，使LM339较器比较电压不正常，电压取样的大功率电阻阻也很容易变质，所以进入保护状态。（一般常见这些电阻的体积很大，阻质常用在270K至820K之间。如果是小阻质，也是由很多个串联起来的。变化到10K之间就无法工作了。因为比效器的比效电压，相差只有0.2V之间。修电磁炉时建议用数数万用表）
巧计修电磁时为了防止IGBT多次击穿在。而对维修分析有所帮助。在电源串一个100W的灯泡。比如IGBT击穿。或驱动电路击穿，还是桥推短路。灯泡就一直亮。正常时,开机后,灯炮闪灭或一闪一闪,[B] 以上是本人所编.没有专业合对资料和教材,各位只能参考.不因我的思路而误导大家 如有错误之处请各位网友题些见意,看了之后希望你留下个脚印.最好能给我留言，谢谢。和电磁炉业务之类的话题请电。电话*** 已改成(***)或加我QQ；78661541 因工作关系，本人没什么时间上网。我疑问的朋友请在发表评论留言，让更多爱好的互动.谈谈关于这方面话题, 本人正在编录视频电磁炉维修教学光盘之中.日后将免费增送给购卖产品的朋友，在维修时进的配件参考价
单价如下 品名 形号 单价元
功率管：
美国仙童 FNG 15N120 6元 25N120 7元 德国门子 H20N120。H25N120 7元/ 桥推 2元/个 变压器5元 互感器 1元 散热片3元
通用散热风扇12V 18V 4.5/个元，发热线圈盘11~15/元个 空钻好孔线路板2.8元/块。数码管2元/块 空外壳5元-13元一个。面板5元-25元/块 芯片1.5元-6元/块 高压电容多种1元至2元/个，IC LM339 1元老 FSD200 VIPER12A AT8316S 3元/块。以上价格只供参考，本人有售，还有成品半成品出售。多购另谈，发达城市 物流交易见货付款.运费10元起.[B]广东省送货上
简介
1.1 电磁加热原理
电磁灶是一种利用电磁感应原理将电能转换为热能的厨房电器。在电磁灶内部，由整流电路将 50/60Hz 的交流电压变成直流电压，再经过控制电路将直流电压转换成频率为 20-40KHz 的高频电压，高速变化的电流流过线圈会产生高速变化的磁场，当磁场内的磁力线通过金属器皿(导磁又导电材料)底部金属体内产生无数的小涡流，使器皿本身自行高速发热，然后再加热器皿内的东西。1.2 47 系列筒介
系列是由正夫人旗下中山电子技术开发制造厂设计开发的全新一代电磁炉 ,面板 有 LED 发光二极管显示模式、LED 数码显示模式、LCD 液晶显示模式、VFD 莹光显示模式、TFT 真彩显示模式机种。操作功能有加热火力调节、自动恒温设定、定时关机、预约开 / 关机、预置操作模式、自动泡茶、自动煮饭、自动煲粥、自动煲汤及煎、炸、烤、火锅等料理功能机种。额定加热功率有 500W~3400W 的不同机种 , 功率调节范围为额定功率的 90%, 并且在全电压范围内功率自动恒定。200~240V 机种电压使用范围为 160~260V, 100~120V 机种电压使用范围为 90~135V。全系列机种均适用于 50、60Hz 的电压频率。使用环境温度为-23 ℃ ~45 ℃。电控功能有锅具超温保护、锅具干烧保护、锅具传感器开 / 短路保护、2 小时不按键(忘钾机)保护、IGBT 温度限制、IGBT 温度过高保护、低温环境工作模式、IGBT 测温传感器开 / 短路保护、高低电压保护、浪涌电压保护、VCE 抑制、VCE 过高保护、过零检测、小物检测、锅具材质检测。
系列须然机种较多 , 且功能复杂 , 但不同的机种其主控电路原理一样 , 区别只是零件参数的差异及 CPU 程序不同而己。电路的各项测控主要由一块 8 位 4K 内存的单片机组成 , 外围线路简单且零件极少 , 并设有故障报警功能 , 故电路可靠性高 , 维修容易 , 维修时根据故障报警指示 , 对应检修相关单元电路 , 大部分均可轻易解决。
二、电磁炉工作原理分析 2.1 特殊零件简介 2.1.1 LM339 集成电路
LM339 内置四个翻转电压为 6mV 的电压比较器 , 当电压比较器输入端电压正向时(+ 输入端电压高于-入输端电压), 置于 LM339 内部控制输出端的三极管截止 , 此时输出端相当于开路;当电压比较器输入端电压反向时(-输入端电压高于 + 输入端电压), 置于 LM339 内部控制输出端的三极管导通 , 将比较器外部接入输出端的电压拉低 , 此时输出端为 0V。2.1.2 IGBT
绝缘双栅极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。目前有用不同材料及工艺制作的 IGBT, 但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。IGBT有三个电极(见上图), 分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)。从IGBT的下述特点中可看出, 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导通电阻大, 器件发热严重, 输出效率下降。IGBT的特点: 1.电流密度大, 是MOSFET的数十倍。2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单。3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下, 其导通电阻Rce(on)不大于MOSFET的Rds(on)的10%。4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。5.开关速度快, 关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、600V级的约0.2us, 约为GTR的10%,接近于功率MOSFET, 开关频率直达100KHz, 开关损耗仅为GTR的30%。IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体, 是极佳的高速高压半导体功率器件。
目前 458 系列因应不同机种采了不同规格的 IGBT, 它们的参数如下 :(1)SGW25N120----西门子公司出品 , 耐压 1200V, 电流容量 25 ℃ 时 46A,100 ℃ 时 25A, 内部不带阻尼二极管 , 所以应用时须配套 6A/1200V 以上的快速恢复二极管(D11)使用 , 该 IGBT 配套 10A/1200/1500V 以上的快速恢复二极管(D11)后可代用 SKW25N120。
(2)SKW25N120----西门子公司出品 , 耐压 1200V, 电流容量 25 ℃ 时 46A,100 ℃ 时 25A, 内部带阻尼二极管 , 该 IGBT 可代用 SGW25N120, 代用时将原配套 SGW25N120 的 D11 快速恢复二极管拆除不装。
(3)GT40Q321----东芝公司出品 , 耐压 1200V, 电流容量 25 ℃ 时 42A,100 ℃ 时 23A, 内部带阻尼二极管 , 该 IGBT 可代用 SGW25N120、SKW25N120, 代用 SGW25N120 时请将原配套该 IGBT 的 D11 快速恢复二极管拆除不装。
(4)GT40T101----东芝公司出品 , 耐压 1500V, 电流容量 25 ℃ 时 80A,100 ℃ 时 40A, 内部不带阻尼二极管 , 所以应用时须配套 15A/1500V 以上的快速恢复二极管(D11)使用 , 该 IGBT 配套 6A/1200V 以上的快速恢复二极管(D11)后可代用 SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321, 配套 15A/1500V 以上的快速恢复二极管(D11)后可代用 GT40T301。
(5)GT40T301----东芝公司出品 , 耐压 1500V, 电流容量 25 ℃ 时 80A,100 ℃ 时 40A, 内部带阻尼二极管 , 该 IGBT 可代用 SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、GT40T101, 代用 SGW25N120 和 GT40T101 时请将原配套该 IGBT 的 D11 快速恢复二极管拆除不装。
(6)GT60M303----东芝公司出品 , 耐压 900V, 电流容量 25 ℃ 时 120A,100 ℃ 时 60A, 内部带阻尼二极管。
(7)GT40Q323----东芝公司出品 , 耐压 1200V, 电流容量 25 ℃ 时 40A,100 ℃ 时 20A, 内部带阻尼二极管 , 该 IGBT 可代用 SGW25N120、SKW25N120, 代用 SGW25N120 时请将原配套该 IGBT 的 D11 快速恢复二极管拆除不装。
(8)FGA25N120----美国仙童公司出品 , 耐压 1200V, 电流容量 25 ℃ 时 42A,100 ℃ 时 23A, 内部带阻尼二极管 , 该 IGBT 可代用 SGW25N120、SKW25N120, 代用 SGW25N120 时请将原配套该 IGBT 的 D11 快速恢复二极管拆除不装。2.2 电路方框图
2.3 主回路原理分析
时间 t1~t2 时当开关脉冲加至 IGBTQ1 的 G 极时 , IGBTQ1 饱和导通 , 电流 i1 从电源流过 L1, 由于线圈感抗不允许电流突变.所以在 t1~t2 时间 i1 随线性上升 , 在 t2 时脉冲结束 , IGBTQ1 截止 , 同样由于感抗作用 ,i1 不能立即突变 0, 于是向 C3 充电 , 产生充电电流 i2, 在 t3 时间 ,C3 电荷充满 , 电流变 0, 这时 L1 的磁场能量全部转为 C3 的电场能量 , 在电容两端出现左负右正 , 幅度达到峰值电压 , 在 IGBTQ1 的 CE 极间出现的电压实际为逆程脉冲峰压 + 电源电压 , 在 t3~t4 时间 ,C3 通过 L1 放电完毕 ,i3 达到最大值 , 电容两端电压消失 , 这时电容中的电能又全部转化为 L1 中的磁能 , 因感抗作用 ,i3 不能立即突变 0, 于是 L1 两端电动势反向 , 即 L1 两端电位左正右负 , 由于 IGBT 内部阻尼管的存在 ,C3 不能继续反向充电 , 而是经过 C2、IGBT 阻尼管回流 , 形成电流 i4, 在 t4 时间 , 第二个脉冲开始到来 , 但这时 IGBTQ1 的 UE 为正 ,UC 为负 , 处于反偏状态 , 所以 IGBTQ1 不能导通 , 待 i4 减小到 0,L1 中的磁能放完 , 即到 t5 时 IGBTQ1 才开始第二次导通 , 产生 i5 以后又重复 i1~i4 过程 , 因此在 L1 上就产生了和开关脉冲 f(20KHz~30KHz)相同的交流电流。t4~t5 的 i4 是 IGBT 内部阻尼管的导通
电流 , 在高频电流一个电流周期里 ,t2~t3 的 i2 是线盘磁能对电容 C3 的充电电流 ,t3~t4 的 i3 是逆程脉冲峰压通过 L1 放电的电流 ,t4~t5 的 i4 是 L1 两端电动势反向时 , 因的存在令 C3 不能继续反向充电 , 而经过 C2、IGBT 阻尼管回流所形成的阻尼电流 ,IGBTQ1 的导通电流实际上是 i1。IGBTQ1 的 VCE 电压变化 : 在静态时 ,UC 为输入电源经过整流后的直流电源 ,t1~t2,IGBTQ1 饱和导通 ,UC 接近地电位 ,t4~t5, IGBT 阻尼管导通 ,UC 为负压(电压为阻尼二极管的顺向压降),t2~t4, 也就是 LC 自由振荡的半个周期 ,UC 上出现峰值电压 , 在 t3 时 UC 达到最大值。
以上分析证实两个问题 : 一是在高频电流的一个周期里 , 只有 i1 是电源供给 L 的能量 , 所以 i1 的大小就决定加热功率的大小 , 同时脉冲宽度越大 ,t1~t2 的时间就越长 ,i1 就越大 , 反之亦然 , 所以要调节加热功率 , 只需要调节脉冲的宽度;二是 LC 自由振荡的半周期时间是出现峰值电压的时间 , 亦是 IGBTQ1 的截止时间 , 也是开关脉冲没有到达的时间 , 这个时间关系是不能错位的 , 如峰值脉冲还没有消失 , 而开关脉冲己提前到来 , 就会出现很大的导通电流使 IGBTQ1 烧坏 , 因此必须使开关脉冲的前沿与峰值脉冲后沿相同步。2.4 振荡电路
(1)当 PWM 点有 Vi 输入时、V7 OFF 时(V7=0V), V5 等于 D6 的顺向压降 , 而当 V5
(2)当 V5>V6 时 ,V7 转态为 OFF,V6 亦降至 D6 的顺向压降 , 而 V5 则由 C16、D6 放电。(3)V5 放电至小于 V6 时 , 又重复(1)形成振荡。
“ G 点输入的电压越高 , V7 处于 ON 的时间越长 , 电磁炉的加热功率越大 , 反之越小”。2.5 IGBT 激励电路
振荡电路输出幅度约 4.1V 的脉冲信号 , 此电压不能直接控制 IGBT 的饱和导通及截止 , 所以必须通过激励电路将信号放大才行 , 该电路工作过程如下 :(1)V8 OFF 时(V8=0V),V8V9,V10 为低 ,Q81 截止、Q4 导通 ,+18V 通过 R23、Q4 和 Q1 的 E 极加至 IGBT 的 G 极 ,IGBT 导通。2.6 PWM 脉宽调控电路
CPU 输出 PWM 脉冲到由 R30、C27、R31 组成的积分电路 , PWM 脉冲宽度越宽 ,C28 的电压越高 ,C29 的电压也跟着升高 , 送到振荡电路(G 点)的控制电压随着 C29 的升高而升高 , 而 G 点输入的电压越高 , V7 处于 ON 的时间越长 , 电磁炉的加热功率越大 , 反之越小。
“ CPU 通过控制 PWM 脉冲的宽与窄 , 控制送至振荡电路 G 的加热功率控制电压，控制了 IGBT 导通时间的长短 , 结果控制了加热功率的大小”。2.7 同步电路
市电经整流器整流、滤波后的 310V 直流电，由 R15+R14、R16 分压产生 V3,R1+R17、R28 分压产生 V4, 在高频电流的一个周期里 , 在 t2~t4 时间(图 1), 由于 C14 两端电压为上负下正 , 所以 V3V5,V7 OFF(V7=0V), 振荡没有输出 , 也就没有开关脉冲加至 Q1 的 G 极 , 保证了 Q1 在 t2~t4 时间 不会导通 , 在 t4~t6 时间 ,C3 电容两端电压消失 , V3>V4, V5 上升 , 振荡有输出 , 有开关脉冲加至 Q1 的 G 极。以上动作过程 , 保证了加到 Q1 G 极上的开关脉冲前沿与 Q1 上产生的 VCE 脉冲后沿相同步。2.8 加热开关控制
(1)当不加热时 ,CPU 17 脚输出低电平(同时 CPU 10 脚也停止 PWM 输出), D7 导通 , 将 LM339 9 电压拉低 , 振荡停止 , 使 IGBT 激励电路停止输出 ,IGBT 截止 , 则加热停止。
开始加热时 , CPU 17 脚输出高电平 ,D7 截止 , 同时 CPU 10 脚开始间隔输出 PWM 试探信号 , 同时 CPU 通过分析电流检测电路和 VAC 检测电路反馈的电压信息、VCE 检测电路反馈的电压波形变化情况 , 判断是否己放入适合的锅具 , 如果判断己放入适合的锅具 ,CPU10 脚转为输出正常的 PWM 信号 , 电磁炉进入正常加热状态 , 如果电流检测电路、VAC 及 VCE 电路反馈的信息 , 不符合条件 ,CPU 会判定为所放入的锅具不符
(2)或无锅 , 则继续输出 PWM 试探信号 , 同时发出指示无锅的报知信息(见故障代码表), 如 30 秒钟内仍不符合条件 , 则关机。2.9 VAC 检测电路
AC220V 由 D17、D18 整流的脉动直流电压通过 R40 限流再经过，C33、R39 C32 组成的π型滤波器进行滤波后的电压，经 R38 分压后的直流电压，送入 CPU 6 , 根据监测该电压的变化 ,CPU 会自动作出各种动作指令。
(1)判别输入的电源电压是否在充许范围内 , 否则停止加热 , 并报知信息(见故障代码表)。(2)配合电流检测电路、VCE 电路反馈的信息 , 判别是否己放入适合的锅具 , 作出相应的动作指令(见加热开关控制及试探过程一节)。
(3)配合电流检测电路反馈的信息及方波电路监测的电源频率信息 , 调控 PWM 的脉宽 , 令输出功率保持稳定。
“电源输入标准 220V ± 1V 电压 , 不接线盘(L1)测试 CPU 第 6 脚电压 , 标准为 2.65V ± 0.06V ”。2.10 电流检测电路
电流互感器 CT1 二次测得的 AC 电压 , 经 D1~D4 组成的桥式整流电路整流、R12、R13 分压，C11 滤波 , 所获得的直流电压送至 CPU 5 脚 , 该电压越高 , 表示电源输入的电流越大 , CPU 根据监测该电压的变化 , 自动作出各种动作指令 :(1)配合 VAC 检测电路、VCE 电路反馈的信息 , 判别是否己放入适合的锅具 , 作出相应的动作指令(见加热开关控制及试探过程一节)。
(2)配合 VAC 检测电路反馈的信息及方波电路监测的电源频率信息 , 调控 PWM 的脉宽 , 令输出功率保持稳定。2.11 VCE 检测电路
将 IGBT(Q1)集电极上的脉冲电压通过 R1+R17、R28 分压 R29 限流后，送至 LM339 6 脚 , 在 6 脚上获得其取样电压 , 此反影了 IGBT 的 VCE 电压变化的信息送入 LM339, LM339 根据监测该电压的变化 , 自动作出电压比较而决定是否工作。
(1)配合 VAC 检测电路、电流检测电路反馈的信息 , 判别是否己放入适合的锅具 , 作出相应的动作指令(见加热开关控制及试探过程一节)。
(2)根据 VCE 取样电压值 , 自动调整 PWM 脉宽 , 抑制 VCE 脉冲幅度不高于 1050V(此值适用于耐压 1200V 的 IGBT, 耐压 1500V 的 IGBT 抑制值为 1300V)。
(3)当测得其它原因导至 VCE 脉冲高于 1150V 时((此值适用于耐压 1200V 的 IGBT, 耐压 1500V 的 IGBT 此值为 1400V), LM339 立即停止工作(见故障代码表)。2.12 浪涌电压监测电路
当正弦波电源电压处于上下半周时 , 由 D17、D18 和整流桥 DB 内部交流两输入端对地的两个二极管组成的桥式整流电路产生的脉动直流电压，当电源突然有浪涌电压输入时 , 此电压通过 R41、C34 耦合 , 再经过 R42 分压，R44 限流 C35 滤波后的电压，控制 Q5 的基极，基极为 高电平时 , 电压 Q5 基极 ,Q5 饱和导通 ,CPU 17 的电平通过 Q5 至地 ,PWM 停止输出，本机停止工作;当 浪涌脉冲过后 , Q5 的基极为 低电平 ,Q5 截止 , CPU 17 的电平通过 Q5 至地 , CPU 再重新发出加热指令。2.13 过零检测
当正弦波电源电压处于上下半周时 , 由 D17、D18 和整流桥 DB 内部交流两输入端对地的两个二极管组成的桥式整流电路产生的脉动直流电压通过 R40 限流再经过，C33、R39 C32 组成的π型滤波器进行滤波后的电压，经 R38 分压后的电压，在 CPU 6 则形成了与电源过零点相同步的方波信号 ,CPU 通过监测该信号的变化 , 作出相应的动作指令。2.14 锅底温度监测电路
加热锅具底部的温度透过微晶玻璃板传至紧贴玻璃板底的负温度系数热敏电阻 , 该电阻阻值的变化间接反影了加热锅具的温度变化(温度 / 阻值祥见热敏电阻温度分度表), 热敏电阻与 R4 分压点的电压变化其实反影了热敏电阻阻值的变化 , 即加热锅具的温度变化 , CPU 8 脚通过监测该电压的变化 , 作出相应的动作指令 :
(1)定温功能时 , 控制加热指令 , 另被加热物体温度恒定在指定范围内。
(2)当锅具温度高于 270 ℃ 时 , 加热立即停止 , 并报知信息(见故障代码表)。(3)当锅具空烧时 , 加热立即停止 , 并报知信息(见故障代码表)。
(4)当热敏电阻开路或短路时 , 发出不启动指令 , 并报知相关的信息(见故障代码表)。2.15 IGBT 温度监测电路
IGBT 产生的温度透过散热片传至紧贴其上的负温度系数热敏电阻 TH, 该电阻阻值的变化间接反影了 IGBT 的温度变化(温度 / 阻值祥见热敏电阻温度分度表), 热敏电阻与 R8 分压点的电压变化其实反影了热敏电阻阻值的变化 , 即 IGBT 的温度变化 , CPU 通过监测该电压的变化 , 作出相应的动作指令 :(1)IGBT 结温高于 90 ℃ 时 , 调整 PWM 的输出 , 令 IGBT 结温 ≤ 90 ℃。当 IGBT 结温由于某原因(例如散热系统故障)而高于 95(2)℃ 时 , 加热立即停止 , 并报知信息(祥见故障代码表)。
(3)当热敏电阻 TH 开路或短路时 , 发出不启动指令 , 并报知相关的信息(祥见故障代码表)。(4)关机时如 IGBT 温度 >50 ℃ ,CPU 发出风扇继续运转指令 , 直至温度 50 ℃ , 风扇停转;风扇延时运转期间 , 按 1 次关机键 , 可关闭风扇)。(5)电磁炉刚启动时 , 当测得环境温度
将 IGBT 及整流器 BG 紧贴于散热片上 , 利用风扇运转通过电磁炉进、出风口形成的气流将散热片上的热及线盘 L1 等零件工作时产生的热、加热锅具辐射进电磁炉内的热排出电磁炉外。
CPU 15 脚发出风扇运转指令时 , 15 脚输出高电平 , 电压通过 R27 送至 Q3 基极 ,Q3 饱和导通 ,VCC 电流流过风扇、Q3 至地 , 风扇运转;CPU 发出风扇停转指令时 , 15 脚输出低电平 ,Q3 截止 , 风扇因没有电流流过而停转。2.17 主电源
AC220V 50/60Hz 电源经保险丝 FUSE, 再通过由 RZ、C1、共模线圈 L1 组成的滤波电路(针对 EMC 传导问题而设置 , 祥见注解), 再通过电流互感器至桥式整流器 BG, 产生的脉动直流电压通过扼流线圈提供给主 回路使用;AC1、AC2 两端电压除送至辅助电源使用外 , 另外还通过印于 PCB 板上的保险线 P.F.送至 D1、D2 整流得到脉动直流电压作检测用途。
注解 : 由于中国大陆目前并未提出电磁炉须作强制性电磁兼容(EMC)认证 , 基于成本原因 , 内销产品大部分没有将 CY1、CY2 装上 ,L1 用跳线取代 , 但基本上不影响电磁炉使用性能。2.18 辅助电源
AC220V 50/60Hz 电压接入变压器初级线圈 , 次级两绕组分别产生 2.2V、12V 和 18V 交流电压。12V 交流电压由 D19~D22 组成的桥式整流电路整流、C37 滤波 , 在 C37 上获得的直流电压 VCC 除供给散热风扇使用外 , 还经由 V8 三端稳压 IC 稳压、C38 滤波 , 产生 +5V 电压供控制电路使用。18V 交流电压由 D15 组成的半波动整流电路整流、C26 滤波后 , 再通过由 Q9、R33、DW9、C27、C28 组成的串联型稳压滤波电路 , 产生 +18V 电压供 IC2 和 IGBT 激励电路使用。2.19 报警电路
电磁炉发出报知响声时 ,CPU1 脚输出幅度为 5V、频率 4KHz 的脉冲信号电压至蜂鸣器 BZ1, 令 BZ1 发出报知响声。
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在修理中常见的电磁炉大致分为两类：
由LM339（四电压比较器）输出脉冲信号。
1： 触发部分由正负两组电源，管子用PNPNPN组成，类似这种电路，后级大多是用大功率管多个复合而成，组成高压开关部分，在代换中，前一个用带阻尼的行管替代即可。后几个则很难找到特性一致的管子，解决的办法是在散热器安装孔允许的情况下改用大电流的管子以减少数量，金属封装得如：BUS13A等，塑封的如：BU2525/BU2527/BU2532/D3998一类，用两个就可以。
2：功控管用IGBT绝缘栅开关器件；
这些机器特征是不用双电源触发，只有+5V和+12V,LM339通过触发集成块TA8316带动IGBT
这种情况下只能用此一类的管子代替，损坏程度大致为，只有管子坏，换上即可。其次是整流桥同时损坏，（一般是烧半壁），在其次是触发集成块TA8316坏，连带LM339N一起损坏的很少见。
对于高压模块，由于这方面的参数手册很少，希望大家搜集转贴，以便代换时参考。
不能贸然更换,最好有示波器先测其G极波形及幅值(没有的话用万用表测此点直流电压应在1-2.5伏之间变化).接上线盘前要确定其它几路小电源供电正常.2.1.2 IGBT
绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。
目前有用不同材料及工艺制作的IGBT, 但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。
IGBT有三个电极(见上图), 分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)。
从IGBT的下述特点中可看出, 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导通电阻大, 器件发热严重, 输出效率下降。
IGBT的特点:
1.电流密度大, 是MOSFET的数十倍。
2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单。
3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下, 其导通电阻Rce(on)不大于MOSFET的Rds(on)的10%。
4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。
5.开关速度快, 关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、600V级的约0.2us, 约为GTR的10%,接近于功率MOSFET, 开关频率直达100KHz, 开关损耗仅为GTR的30%。
IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体, 是极佳的高速高压半导体功率器件。
目前458系列因应不同机种采了不同规格的IGBT,它们的参数如下:
(1)SGW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120。
(2)SKW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120,代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装。
(3)GT40Q321----东芝公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时42A,100℃时23A, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120, 代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。
(4)GT40T101----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321, 配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用GT40T301。
(5)GT40T301----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、GT40T101, 代用SGW25N120和GT40T101时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。
(6)GT60M303----东芝公司出品,耐压900V,电流容量25℃时120A,100℃时60A, 内部带阻尼二极管。
请玉版评说.GT40T101----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321, 配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用GT40T301。”
GT40T101内部不带阻尼二极管，为何我买的带阻尼二极管，是假的吗？？？？？可装机用1个多月没坏呀（25元呢
顺便说明:我说的用G25N120代换加阻尼管,不是说此管内部不带阻尼管,(实际上它内部已附带阻尼管,)只是我在维修时先加上试机正常后再去掉,为的是防止机子还有其它问题而引起烧了它从而避免过大的损失,装上此管再并是一支阻尼后要是还有其它问题一般只会烧外加阻尼而不会烧功率管.电磁炉维修经验
（一）一、PD16F/16Y/13J 老版（大单机68H1908）
1、现象：上电长鸣，指示灯全亮
方法：更换R53：1/6W-10K为1/6W-4.7K或1/4W-4.7K
二、PD16F/16Y/16J-2002（小单片机 1202）
1、现象：正常电压开机长鸣
方法：更换R15：1W-330K±1%
2、不检锅
方法：拨掉排线（功率板到控制板），测量R16：1W-330K±1%；R17、R18：1W-240K±1%是否正常，更换不正常电阻。
如无法测，则直接更换R16：1W-330K±1%，不正常再更换R17、R18：1W-240K±1%。
3、上电无反应：
测量功率板桥堆、保险管是否损坏，如桥堆损坏而IGBT未短路则更换桥堆保险管。
三、PSD18C/D/E1、出现E07、E08
方法：更换R310：1W-330K±1%
2、不检锅
方法：拨掉排线测量R300：1W-330K±1%；R305、R304：1W-240K±1%，更换不正常电阻，如无法测量则直接更换R300：1W-330K±1%；还不正常，则更换R304、R305：1W-240K±1%
3、上电无反应
方法：同第二大点中第3小点
电磁炉维修经验(二)
1.电磁炉无论有什么故障,在更换元件后,一定不要急于接上线盘试机,否则会引起烧坏IGBT和保险管,甚至整流桥。应该在不接线盘的情况下，通电测试各点电压,比如5V、12V、20V(有的18V、22V)，和驱动电路输出的波型(正常是方波)，也可以用数字万用表20V档测试(正常电压不断波动)。因为一般电磁炉都有锅具检测，大概30秒左右,要测驱动输出要在开机的30秒内，看不清楚可关机再开，检测正常后再接上线盘即可。
2.电磁炉坏之后，检测电路不要一开始就怀疑芯片有问题(95%以上芯片不会的故障),就算芯片有问题都要到生产该电磁炉的厂家才有,市场买不到,市场上的型号相同都不能代换。
3.通电后报警关机，这类问题比较多。有的厂家设有故障代码,参照使用说明可逐一解决。如果没故障代码显示,应检查锅底温度、锅具、IGBT温度检测电路。
电磁炉常用整流桥型号及参数
RBV-2006/20A/600V
RBV2506/25A/600V
K15T120此管是带阻的，可用H20T120代，或用其它带阻的IGBT代均可。比如40N150，25G120等都可使用G40N150D就可以看看这些如何：
SGW25N120D
K25T120
G25N120D
FGA25N120
MGY25N120D
IRG30B120
G18N120BNAF
SIGC25T120C
SG25N120
参数如下:
(1)SGW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120。
(2)SKW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120,代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装。
(3)GT40Q321----东芝公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时42A,100℃时23A, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120, 代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。
(4)GT40T101----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321, 配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用GT40T301。
(5)GT40T301----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、GT40T101, 代用SGW25N120和GT40T101时请将原配套该IGB
电磁炉用功率管的型号，代换，参数
GT40Q321，FGL40N150D，FGL60N170D，FGA25N120，SK25N120，G40N150D，FGA25N135，1MBH25D--120，GP20B120UD--E，IXGH20N120BDI，以上功率管内部都带阻尼管，耐压都在1200V以上电流在20A以上只要电流相差不多都可以互相代换。
SGW25N120，K15T120。。。。。。。
以上的管子内部不带阻尼，如果要代换一上功率管时可以在电路板上安装2个以上的阻尼二极管耐压1200V以上，电流在8A以上
我们换IGBT都用20T120的通带（小的TGBT）大的用GT40T101就行了
用快恢复二极管撒，我们换IGBT都用20T120的通带（小的TGBT）大的用GT40T101就行了
阻尼管二极管可选用：BY459
大量维修实践表明，电磁炉（灶）内的部分元器件因工作温度较高，工作电流较大，电压较高
等，其故障或损坏概率也较高。其中的场效应功率管损坏率最高。但由于商业竞争激烈，一般都不
随机附带图纸，加之电磁炉所采用的场效应功率管一般均为较新产品，这便给维修带来不便和困
难。下面笔者根据汇集来的相关资料，提供几种常用电磁炉场效应功率管及代换资料供参考。
电磁炉一般均采用N型沟道功率场效应管，其相关参数为BVCBO≥1600V，BVCEO≥1000V，PCM≥
100W，ICM≥7A，HFE≥40。常用的电磁炉用场效应管内部带阻尼二极管的型号有GT40N150D、GT40T301、SECG40N150D、ZON120ND、GT40T101、SQD35JA等。
内部不带阻尼二极管的型号有BT40T101、SGL40N150/150D等。在维修代换时，若采用不带阻尼
二极管的功率场效应管，应在D、S极间加接一只阻尼二极管，该二极管必须是快恢复型阻尼二极
管，其耐压应≥1500V。加接时正极接S极，负极接D极即可。参考型号如S5J53、BY4591500等。
在负载电磁线圈和功率管之间串一只100W的灯泡再通电试机,可以防止烧管
在修理中常见的电磁炉大致分为两类：一类触发部分由正负两组电源，管子用PNPNPN组成，类似这种电路，后级大多是用大功率管多个复合而成，组成高压开关部分，在代换中，前一个用带阻尼的行管替代即可。后几个则很难找到特性一致的管子，解决的办法是在散热器安装孔允许的情况下改用大电流的管子以减少数量，金属封装得如：BUS13A等，塑封的如：BU2525/BU2527/BU2532/D3998一类，用两个就可以。另一类功控管用IGBT绝缘栅开关器件。这些机器特征是不用双电源触发，只有+5V和+12V,LM339通过触发集成块TA8316带动IGBT。这种情况下只能用此一类的管子代替，损坏程度大致为，只有管子坏，换上即可。其次是整流桥同时损坏，（一般是烧半壁），在其次是触发集成块TA8316坏，连带LM339N一起损坏的很少见。更换后不能贸然通电,最好有示波器先测其G极波形及幅值(没有的话用万用表测此点直流电压应在1-2.5伏之间变化).接上线盘前要确定其它几路小电源供电正常.IGBT晶体管资料：
绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。
目前有用不同材料及工艺制作的IGBT, 但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。
IGBT有三个电极(见上图), 分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)。
从IGBT的下述特点中可看出, 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导通电阻大, 器件发热严重, 输出效率下降。IGBT的特点: 1.电流密度大, 是MOSFET的数十倍。
2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单。
3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下, 其导通电阻Rce(on)不大于MOSFET的Rds(on)的10%。4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。
5.开关速度快, 关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、600V级的约0.2us, 约为GTR的10%,接近于功率MOSFET, 开关频率直达100KHz, 开关损耗仅为GTR的30%。
IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体, 是极佳的高速高压半导体功率器件。
目前458系列因应不同机种采了不同规格的IGBT,它们的参数如下:(1)SGW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120。
(2)SKW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120,代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装。
(3)GT40Q321----东芝公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时42A,100℃时23A, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120, 代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。
(4)GT40T101----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321, 配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用GT40T301。
(5)GT40T301----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、GT40T101, 代用SGW25N120和GT40T101时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。(6)GT60M303----东芝公司出品,耐压900V,电流容量25℃时120A,100℃时60A, 内部带阻尼二极管。GT40T101----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321, 配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用GT40T301。” GT40T101内部不带阻尼二极管.电磁炉维修经验
1.电磁炉无论有什么故障,在更换元件后,一定不要急于接上线盘试机,否则会引起烧坏IGBT和保险管,甚至整流桥。应该在不接线盘的情况下，通电测试各点电压,比如5V、12V、20V(有的18V、22V)，和驱动电路输出的波型(正常是方波)，也可以用数字万用表20V档测试(正常电压不断波动)。因为一般电磁炉都有锅具检测，大概30秒左右,要测驱动输出要在开机的30秒内，看不清楚可关机再开，检测正常后再接上线盘即可。
2.电磁炉坏之后，检测电路不要一开始就怀疑芯片有问题(95%以上芯片不会的故障),就算芯片有问题都要到生产该电磁炉的厂家才有,市场买不到,市场上的型号相同都不能代换。
3.通电后报警关机，这类问题比较多。有的厂家设有故障代码,参照使用说明可逐一解决。如果没故障代码显示,应检查锅底温度、锅具、IGBT温度检测电路。电磁炉常用整流桥型号及参数 RBV-2006/20A/600V RBV2506/25A/600V K15T120此管是带阻的，可用H20T120代，或用其它带阻的IGBT代均可。比如40N150，25G120等都可使用G40N150D就可以。
参数如下:(1)SGW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120。
(2)SKW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120,代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装。
(3)GT40Q321----东芝公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时42A,100℃时23A, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120, 代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。
(4)GT40T101----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321, 配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用GT40T301。
(5)GT40T301----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、GT40T101, 代用SGW25N120和GT40T101时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装 一些电磁炉用功率管的型号，代换，参数
GT40Q321，FGL40N150D，FGL60N170D，FGA25N120，SK25N120，G40N150D，FGA25N135，1MBH25D--120，GP20B120UD--E，IXGH20N120BDI，以上功率管内部都带阻尼管，耐压都在1200V以上电流在20A以上只要电流相差不多都可以互相代换。SGW25N120，K15T120。。。。。。。
以上的管子内部不带阻尼，如果要代换一上功率管时可以在电路板上安装2个以上的阻尼二极管耐压1200V以上，电流在8A以上
我们换IGBT都用20T120的通带（小的TGBT）大的用GT40T101就行了
用快恢复二极管撒，我们换IGBT都用20T120的通带（小的TGBT）大的用GT40T101就行了 阻尼管二极管可选用：BY459 大量维修实践表明，电磁炉（灶）内的部分元器件因工作温度较高，工作电流较大，电压较高等，其故障或损坏概率也较高。其中的场效应功率管损坏率最高。但由于商业竞争激烈，一般都不随机附带图纸，加之电磁炉所采用的场效应功率管一般均为较新产品，这便给维修带来不便和困难。下面笔者根据汇集来的相关资料，提供几种常用电磁炉场效应功率管及代换资料供参考。
电磁炉一般均采用N型沟道功率场效应管，其相关参数为BVCBO≥1600V，BVCEO≥1000V，PCM≥100W，ICM≥7A，HFE≥40。常用的电磁炉用场效应管内部带阻尼二极管的型号有GT40N150D、GT40T301、SEC·G40N150D、ZON120ND、GT40T101、SQD35JA等。
内部不带阻尼二极管的型号有BT40T101、SGL40N150/150D等。在维修代换时若采用不带阻尼二极管的功率场效应管，应在D、S极间加接一只阻尼二极管，该二极管必须是快恢复型阻尼二极管其耐压应≥1500V。加接时正极接S极，负极接D极即可。参考型号如S5J53、BY4591500等。在负载电磁线圈和功率管之间串一只100W的灯泡再通电试机,可以防止烧管.电磁炉维修经验(二)
1.电磁炉不管有什么故障,在更换元件后,一定不要急于接上线盘试机,否则会引起烧坏IGBT和保险管,甚至整流桥。应该在不接线盘的情况下，通电测试各点电压,比如5V、12V、20V(有的18V、22V)，和驱动电路输出的波型(正常是方波)，也可以用数字万用表20V档测试(正常电压不断波动)。因为一般电磁炉都有锅具检验测定，大概30秒摆布,要测驱动输出要在开机的30秒内，看不清楚可关机再开，检验测定正常后再接上线盘便可。
2.电磁炉坏之后，检验测定电路不要一开始就怀疑芯片有疑难题目(95%以上芯片不会的故障),就算芯片有疑难题目都要到生产该电磁炉的厂家才有,市场买不到,市场上的型号相同都不能代换。
3.通电后报警关机，这类疑难题目比较多。有的厂家设有故障代码,参照使用说明可逐一解决。如果没故障代码显示,应检查锅底温度、锅具、IGBT温度检验测定电路。
电磁炉常用整流桥型号及参数
RBV-2006/20B/600V
RBV2506/25B/600V
K15T120此管是带阻的，可用H20T120代，或用其它带阻的IGBT代均可。比如40N150，25G120等都可使用G40N150D就能够看看这些个如何：
SGW25N120D
K25T120
G25N120D
FGB25N120
MGY25N120D
IRG30B120
G18N120BNBF
SIGD25T120D
SG25N120
参数如下:
(1)SGW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46B,100℃时25B,内部不带阻尼二极管,以是应用时须配套6B/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6B/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120。
(2)SKW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46B,100℃时25B,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120,代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装。
⑶ GT40Q321----东芝公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时42B,100℃时23B, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120, 代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。
⑷ GT40T101----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80B,100℃时40B,内部不带阻尼二极管,以是应用时须配套15B/1500V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6B/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321, 配套15B/1500V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用GT40T301。
(5)GT40T301----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80B,100℃时40B, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q
32一、GT40T101, 代用SGW25N120和GT40T101时请将原配套该IGB
电磁炉用功率管的型号，代换，参数
GT40Q321，FGL40N150D，FGL60N170D，FGB25N120，SK25N120，G40N150D，FGB25N135，1MBH25D--120，GP20B120UD--E，IXGH20N120BDI，以上功率管内部都带阻尼管，耐压都在1200V以上电流在20B以上只要电流相差不多都可以互相代换。
SGW25N120，K15T120。。。。。。。
以上的管子内部不带阻尼，如果要代换一上功率管时可以在电路板上安装2个以上的阻尼二极管耐压1200V以上，电流在8B以上
我们换IGBT都用20T120的通带（小的TGBT）大的用GT40T101就行了
用快恢复二极管撒，我们换IGBT都用20T120的通带（小的TGBT）大的用GT40T101就行了
阻尼管二极管可选用：BY459
大量维修实践表明，电磁炉（灶）内的部门元器件因工作温度较高，工作电流较大，电压较高
等，其故障或损坏几率也较高。其中的场效应功率管损坏率最高。但由于商业竞争猛烈，一般都不
随机附带图纸，加之电磁炉所采用的场效应功率管一般均为较新产物，这便给维修带来不便和困
难。下面笔者根据汇集来的相干资料，提供几种常用电磁炉场效应功率管及代换资料供参考。
电磁炉一般均采用N型沟道功率场效应管，其相干参数为BVDBO≥1600V，BVDEO≥1000V，PDM≥
100W，IDM≥7B，HFE≥40。常用的电磁炉用途效应管内部带阻尼二极管的型号有GT40N150D、GT40T30
一、SED·G40N150D、ZON120ND、GT40T10
一、SQD35JB等。
内部不带阻尼二极管的型号有BT40T10
一、SGL40N150/150D等。在维修代换时，若采用不带阻尼
二极管的功率场效应管，应在D、S极间加接一只阻尼二极管，该二极管必须是快恢复型阻尼二极
管，其耐压应≥1500V。加接时正极接S极，负极接D极便可。参考型号如S5J53、BY4591500等。
在负载电磁线圈和功率管之间串一只100W的灯泡再通电试机,可以防止烧管
电磁炉常见故障征象
故障征象产物原因维修方法
1．不开机（按电源键指示灯不亮。）（1）按钮不良
（2）电源线配线松脱
（3）电源线不通电
（4）保险丝熔断
（5）功率晶体IGBT坏
（6）共振电容D103坏
（7）阴尼二极体
（8）变压器坏，没18V输出
（9）基板组件坏（1）检查并更换按钮板
（2）重接
（3）重接或换新
（4）更换
（5）更换
（6）更换
（7）检查并更换
（8）检查并更换
（9）更换
2．置锅，指示灯亮，但不加热
（1）线盘没锁好
（2）稳压二极管ZD101坏
（3）基板组件坏（1）锁好线盘
（2）换稳压二极管ZD101
（3）换基板组件
3．灯不亮，风扇自转。
（1）LED插槽插线不良
（2）稳压二极管ZD2坏
（3）基板组件坏（1）重新插接或换LED板
（2）换稳压二极管ZD2
（3）换基板组件
4．加热，但指示灯不亮。
（1）LED二极管坏
（2）LED基板组件坏
（1）换LED二极管
（2）换LED基板组件
5．未置锅，指示灯亮，不加热。
（1）热敏电阻配线松动或损坏
（2）集成块LM339坏或集成块TB8316坏
（3）变压器插接不良
（4）基板组件坏
（1）重新插接或换热敏电阻组件
（2）换LM339或TB8316
（3）检查或换主控ID
（4）换基板组件
6．功率无变化
（1）可调电阻
（2）加热/定温电阻用错或短路
（3）主控ID坏
（4）基板组件坏（1）换可调电阻
（2）检查加热/定温电阻
（3）检查或换主控ID
（4）换基板或换基板组件
7．蜂鸣器长鸣
（1）热开关坏/热敏电阻坏，主控ID坏
（2）振荡子坏，变压器坏
（3）基板组件坏（1）换/热开关/热敏电阻/主控ID
（2）换振荡子，检查或更换变压器
（3）检查或更换基板组件
8．锅具正常，但闪烁并发出“叮叮”响
（1）锅具检验测定处于临界点（1）更换R104阻值
9．置锅，灯闪烁
（1）比流器DT坏
（2）锅具不对，非规范锅具
（3）ID1/ID6/R501可调电阻坏
（1）换比流器DT
（2）用正确锅具
（3）检查对应器件
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