战略性先进电子材料重点专项_数字电子技术基础重点

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附件9 “战略性先进电子材料”重点专项 2018年度项目申报指南建议

为落实《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020年）》和《中国制造2025》等提出的任务，国家重点研发计划启动实施“战略性先进电子材料”重点专项。根据本重点专项实施方案的部署，现提出2018年度项目申报指南建议。

本重点专项总体目标是：面向国家在节能环保、智能制造、新一代信息技术领域对战略性先进电子材料的迫切需求，支撑“中国制造2025”、“互联网+”等国家重大战略目标，瞄准全球技术和产业制高点，抓住我国“换道超车”的历史性发展机遇，以第三代半导体材料与半导体照明、新型显示为核心，以大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料为重点，通过体制机制创新、跨界技术整合，构建基础研究及前沿技术、重大共性关键技术、典型应用示范的全创新链，并进行一体化组织实施。培养一批创新创业团队，培育一批具有国际竞争力的龙头企业，形成各具特色的产业基地。

本重点专项按照第三代半导体材料与半导体照明、新型显示、大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料4个技术方向，共部署35个研究任务。2018年，拟启动5个研究任务10个项目。专项实施周期为5年（2016考核指标：研制出2～3种实用型高密度铁磁性磁随机存储材料及存储单元器件，实现磁性隧道结室温隧穿磁电阻比值达到150%，写入和读取时间≤30 ns，操作电压≤1 V，可重复擦写次数＞1015，室温下数据保存时间＞10年；研制出存储密度≥1 Gb/cm2的高速低能耗磁随机存储器（基于自旋转移力矩效应或自旋轨道转矩效应）芯片。申请专利15项，发表论文30篇。