存储器部件实验报告_存储部件实验报告
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实验报告 实验名称
存储器部件教学实验
实验日期
2013年11月18日
实验小组人员
谢林红符斯慧
实验设备
TEC-XP16教学实验系统、仿真终端软件PCEC
实验目的
1．深入理解计算机内存储器的功能、组成知识；
2．深入地学懂静态存储器芯片的读写原理和用他们组成教学计算机存储器系统的方法（即字、位扩展技术），控制其运行的方式；
3．思考并对比静态和动态存储器芯片在特性和使用场合等方面的同异之处。
实验内容与步骤
1．检查扩展芯片插座的下方的插针要按下列要求短接：标有“/MWR”“RD”的插针左边两个短接，标有“/MRD”“GND”的插针右边两个短接。
2． 1〉用E 命令改变内存单元的值并用D 命令观察结果。①在命令行提示符状态下输入：E 2020↙ 屏幕将显示： 2020
内存单元原值: 按如下形式键入：
2020 原值：2222（空格）原值：3333（空格）原值：4444（空格）原值：5555↙ ②在命令行提示符状态下输入：D 2020↙
屏幕将显示从2020 内存单元开始的值，其中2020H~2023H 的值为： 2222 3333 4444 5555 ③断电后重新启动教学实验机，用D 命令观察内存单元2020~2023 的值。会发现原来置入到这几个内存单元的值已经改变，用户在使用RAM 时，必须每次断电重启后都要重新输入程序或修改内存单元的值。
2〉用A 命令输入一段程序，执行并观察结果。①在命令行提示符状态下输入：A 2000↙ 屏幕将显示： 2000： 按如下形式键入：
2000： MVRD R0，AAAA 2002： MVRD R1，5555 2004： AND R0，R1 2005： RET 2006：↙
②在命令行提示符状态下输入：T 2000 ↙ R0 的值变为AAAAH，其余寄存器的值不变。T↙
R1 的值变为5555H，其余寄存器的值不变。T↙
R0 的值变为0000H，其余寄存器的值不变。③在命令行提示符状态下输入： G 2000 运行输入的程序。
④在命令行提示符状态下输入：R ↙ 屏幕显示：
R0=0000 R1=5555 R2=…
3．将扩展芯片下方的插针按下列方式短接：将标有“/MWR”“ PGMPGM”和“RD”的三个插针左面两个短接，将标有“/MWD”“/OE”“GND”的三个插针左边两个短接；
4．将扩展芯片上方标有EXTROMH 和EXTROML 的“/CS”信号用自锁紧线短接，然后短接到MEMDC138 芯片的上方的标有“4000－5fff”地址单元；
5． EPROM 是紫外线可擦除的电可改写的只读存储器芯片。在对EPROM 进行重写前必须先擦除并判断芯片是否为空，再通过编程器进行编程；
①D 命令看内存单元0000~001F 的值。可以看到内存单元的值为：01FF 02FF 03FF 04FF......1FFF；
②用E 命令向芯片的内存单元置入数值，再用D 命令察看，会发现原来的值没有改变；用A命令向芯片所在的地址键入程序，用U 命令反汇编，会发现地址仍然保持原来的值。该实验说明EPROM 不能直接修改和编程，必须先擦除，再通过编程器编程； ③将教学机断电后重启，用D 命令看内存单元0000~001F 的内容，会发现数值没变，EPROM的内容在断电后会保持。
6．AT28C64B 的读操作和一般的RAM 一样，而其写操作，需要一定的时间，大约为1 毫秒。因此，需要编写一延迟子程序，在对EEPROM 进行写操作时，调用该子程序，以完成正确的读写。
1）用E 命令改变内存单元的值并用D 命令观察结果。①在命令行提示符状态下输入：E 5000↙ 屏幕将显示： 5000 内存单元原值： 按如下形式键入：
5000 原值：2424（按空格）原值：3636（按空格）原值：4848（按空格）原值：5050↙ ②在命令行提示符状态下输入：D 5000↙ 屏幕将显示5000H~507FH 内存单元的值，从5000 开始的连续四个内存单元的值依次为2424 3636 4848 5050；
③断电后重新启动，用D 命令察看内存单元5000~5003 的值，会发现这几个单元的值没有发生改变，说明EEPROM的内容断电后可保存。2）从2000H 单元开始输入主程序：（2000）MVRD R0，0000 MVRD R2，0010 ；R2 记录循环次数
MVRD R3，5000 ；R3 的内容为16 位内存地址
（2006）STRR [R3]，R0 ；将R0 寄存器的内容放到R3 给出的内存单元中 CALA 2200 ；调用程序地址为2200 的延时子程序 INC R0 ；R0 加1 INC R3 ；R3 加1 DEC R2 ；R2 减1 JRNZ 2006 ；R2 不为0 跳转到2006H RET 从2200H 单元开始输入延时子程序：（2200）PUSH R3 MVRD R3，FFFF（2203）DEC R3 JRNZ 2203 POP R3 RET 运行主程序，在命令提示符下输入：G 2000↙。
注意：运行G 命令的时候，必须要将将标有“/MWD”“/OE”“GND”的三个插针右边两个短接。
程序执行结束后，在命令提示符下输入：D 5000↙； 可看到从5000H 开始的内存单元的值变为
5000：0000 0001 0002 0003 0004 0005 0006 0007 5008：0008 0009 000A 000B 000C 000D 000E 000F。
实验结果
实验结果与预期结果相同。
实验心得
通过这次实验，可看出静态存储器芯片和动态存储器芯片的不同，加深对计算机内存储器功能及组成的理解。对于RAM，可直接用A、E命令向扩展的存储器输入程序或改变内存单元的值。RAM中的内容在断电后会消失，重新启动实验机后会发现内存单元的值发生了改变，需要用户自己再重新进行输入。对于EPROM，不能进行直接修改和编程，其内容在断电后仍保持。对于EEPROM，若要对其进行写操作，需要一定的时间，因此需要编写一个延迟子程序（E命令能直接写芯片，A命令有时会不可以）。
