CVD技术的优缺点_cvd技术的优缺点

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1.2.1、CVD技术的优点

与其他沉积方法相比, CVD技术除了具有设备简单、操作维护方便、灵活性强的优点外,还具有以下优势:

(1)在中温和高温下,通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而沉积固体;

(2)可以在大气压(常压)或者低于大气压下进行沉积,一般说低压效果更好些;

(3)采用等离子和激光辅助技术可以显著促进化学反应,使沉积可在较低的温度下进行;

(4)镀层的化学成分可以改变,从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层;

(5)可以控制镀层的密度和纯度;

(6)绕镀性好,可在复杂形状的基体上以及颗粒材料上沉积;

(7)气体条件通常是层流的,可在基体表面形成厚的边界层;

(8)沉积层通常具有柱状晶结构,不耐弯曲,但通过各种技术对化学反应进行气相扰动,可以得到细晶粒的等轴沉积层;

(9)可以形成多种金属、合金、陶瓷和化合物镀层。只要原料气稍加改变,采用不同的工艺参数便可制备性能各异的沉积层;可涂覆各种复杂形状工件,如带槽、沟、孔或盲孔的工件;涂层与基体间结合力强等。

1.2.2、CVD 技术的缺点

(1)主要缺点是反应温度较高,沉积速率较低(一般每小时只有几μm到几百μm),难以局部沉积;

(2)参与沉积反应的气源和反应后的余气都有一定的毒性;

(3)镀层很薄,已镀金属不能再磨削加工,如何防止热处理畸变是一个很大的难题,这也限制了CVD法在钢铁材料上的应用, 而多用于硬质合金。