合工大复试模电和器件试题(回忆版)_合肥工业大学模电试卷

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模拟电子技术基础

范围：第10，11章可不看，第9章可略看，场效应管的电路可略看，其他基本全部要看 选择10题（都是书上的基础概念，书上的课后习题的选择好像有原题，第一题是三极管三个电位，判断什么管子，几乎知识点都有的，所以都要看一遍）

画图2题，20分，晶体三极管的混合π型等效电路P226面的图，并说明gm和C的意义 第二题P469自测题第二题

计算2题好像，都是课后习题

第二章2.11

第八章8.22

注：今年考了很多第八章的东西，第五章，都是容易略看的，反馈什么的竟然没考，不按常理出牌啊，和去年的真题相比差距也很大，所以建议复习的时候把所有的课后习题都做了，我这里有勾的课后习题，范围应该不会跑出去，今年卷子也许是刘士兴老师出的，大家反映考的都不是很好，第五章和第八章都是本科上课的时候不怎么强调的内容。

半导体器件物理

特征频率，MOS管饱和区漏极电流不饱和原因，扩散电容与势垒电容的区别

（以后还可能考到的：PN结击穿机制，截止频率）

两种MOSFET的小尺寸效应及对各种器件的影响

推导Sah方程，验证饱和区gm和线性区gd的关系

在NPN型双极型晶体管正向有源区工作时Ic=qAE等等，不好打exp(qVbe/kT)求βF和提高βF的措施

给出理想N型半导体MOS电容的C-V特性曲线，并分区进行分析。

注：器件物理把以前的真题全部做了，背会保证ok

想了解复试的情况，问问学长学姐就可以了，面试也一般的，分组面试，部分专业较严，有的专业较松。大概都是英文自我介绍，中文自我介绍，英文提问，微固会有专业论文的翻译，老师会提问一些问题，根据自我介绍，好好准备自己的毕业设计，这个很重要，多了解有关的内容。