中国科学院半导体材料研究所招生简章_中国科学院招生简章

2020-02-28 其他范文 下载本文

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半导体研究所

2011年硕士招生专业目录

中国科学院半导体研究所成立于1960年, 是集半导体物理、材料、器件、电路及其 应用研究于一体的综合性研究所。研究所目前拥有2个国家级研究中心、3个国家重点实 验室、2个院级重点实验室及研发中心,拥有大批先进的科研仪器设备和设施,承担着一 批国家重点科技支撑项目(如973计划、863计划、国家自然科学基金重大重点项目等),及地方、企业委托项目等。

半导体所是国家首批设立博士后流动站的设站单位和博士、硕士学位授予单位,是

中国科学院博士生重点培养基地之一,现有3个博士后流动站、4个博士学位授权点、5个 学术型硕士学位授权点及3个专业学位硕士(工程硕士)授权点。

研究所现有在职职工640余人,其中科技人员460余人,中国科学院院士7名、中国工 程院院士2名,研究员及正高级工程技术人员79名、副研究员及高级工程技术人员119名,中国科学院“百人计划”入选者及国家杰出青年科学基金获得者36名、国家百千万人 才工程入选者6名。半导体所拥有一支老、中、青相结合及年龄、知识结构、学科分布合 理的研究生指导教师队伍,现有研究生导师106人,其中博士生导师68人。

研究所目前在学研究生536名,博士后在站人员28名,研究生已经成为半导体所科研 工作的生力军。自知识创新工程启动以来,半导体所累计有4人次获全国百篇优秀博士论 文,4人次获院长奖学金特别奖,29人次获院长奖学金优秀奖,其他奖项49项。半导体所 实行研究生兼任研究助理的方式,为研究生提供优越的科研和生活条件,研究生可以直接 参与研究所承担的重大课题项目及前沿研究与攻关。

半导体所2011年预计招收学术型硕士学位研究生102名、专业学位硕士研究生(工程 硕士)10名,所有招生专业(含工程硕士)均接收推荐免试生,共拟接收推免生50~60 名。热忱欢迎广大考生报考!

网址:http://www.daodoc.com

单位代码:80136北京市海淀区清华东路邮政编码:100083地址: 甲35号

联系部门:研究生部电话:010-82304321联系人:徐金威

学科、专业名称(代码)研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注

070205凝聚态物理共..半导体掺杂机制和纳米01.112 人 ①101思想政治理论②201..材料的研究英语一③301数学一④977 固体物理或978量子力学

半导体低维结构材料、02.同上..宽带隙半导体材料、半 导体光伏材料与器件和 半导体材料物理

半导体量子结构中自旋03.同上..相关的物理过程研究

半导体微纳结构理论04.同上..半导体中磁性杂质电子05.同上免试推荐和硕博..态的自旋特性与操控连读

半导体自旋电子的实验06.同上要求硕博连读..第1页2010年8月27日10时46分12秒

单位代码:80136北京市海淀区清华东路地址:邮政编码:100083 甲35号

联系部门:研究生部电话:010-82304321联系人:徐金威 学科、专业名称(代码)研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注 研究

半导体自旋电子学07.同上 半导体自旋电子学基础08.同上 物理理论研究

单光子/纠缠光子发射09.同上 器件、单量子点中电子 /空穴/核自旋相互作用

低维纳米结构、材料和10.同上 新量子器件原理

石墨烯光电子学;低维11.同上要求硕博连读 纳米材料光学性质

石墨烯和拓扑绝缘体12.同上

铁磁半导体器件研究及13.同上具有较强的动手 碳基电子学器件的研究能力和扎实的物 理基础

固体量子计算和量子通14.同上 信的基础物理研究

半导体低维量子结构的15.同上 电子态

自旋相关的电子输运和16.同上 光学性质

半导体与金属复合微纳17.同上 结构中光电耦合效应 080501材料物理与化学

GaN同质衬底的制备01.①101思想政治理论②201 英语一③302数学二④976 半导体物理或977固体物 理

半导体低维结构材料02.同上 宽带隙半导体材料03.同上

半导体低维结构材料物04.同上物理系毕业及有 理科研经历者优先

第2页2010年8月27日10时46分12秒

单位代码:80136 联系部门:研究生部

北京市海淀区清华东路地址: 甲35号

电话:010-82304321 邮政编码:100083 联系人:徐金威

学科、专业名称(代码)研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注

宽带隙半导体材料和材05.同上 料物理

半导体低维纳米材料制06.同上 备及其器件应用

半导体功能材料及其器07.同上 件应用

半导体光伏材料与器件08.同上 和半导体材料物理

半导体纳米功能材料及09.同上 其器件应用

宽带隙半导体材料与应10.同上 用

半导体纳米结构及器件11.同上 研究

氮化物LED材料和器件12.同上 研究

III族氮化物材料生长13.同上 用MOCVD等重大装备研 制;半导体低维结构材 料、宽带隙半导体材料 和器件应用

氮化物材料生长与应用14.同上 研究;新型高效太阳电 池制备与性能研究;新 型异质结半导体高效光 伏材料与器件

低成本太阳能级多晶提15.同上 纯技术、材料性能与电 池制备;CdTeCIGS材 料制备及薄膜太阳能电 池应用 高功率全固态激光器及16.同上

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单位代码:80136 联系部门:研究生部

北京市海淀区清华东路地址: 甲35号

电话:010-82304321 邮政编码:100083 联系人:徐金威

学科、专业名称(代码)研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注 其应用研究

高效硅基薄膜太阳电池17.同上..相关技术研究

红外量子材料及器件(18.同上..量子级联激光器、探测 器;太赫兹材料及器件..)化合物半导体(GaSb、I19.同上..nAs、InP、ZnO、AlN)缺陷、杂质及物性研究

宽禁带半导体材料物理20.同上..与应用

全固态激光器及非线性21.同上..频率变换

新型高效率太阳电池技22.同上..术研究;GaN基稀磁半 导体薄膜材料的研究

有机/无机复合半导体23.同上..材料与器件

有机电致发光材料和器24.同上..件应用

太阳电池制备与性能研25.同上..究

080901物理电子学

Si基高效太阳电池研究01.①101思想政治理论②201..英语一③301数学一④976 半导体物理或977固体物 理

半导体光电探测器、单02.同上..光子探测及电路;高效 太阳电池基础研究 半导体量子点材料与量03.同上..第4页2010年8月27日10时46分12秒

单位代码:80136北京市海淀区清华东路地址:邮政编码:100083 甲35号

联系部门:研究生部电话:010-82304321联系人:徐金威 学科、专业名称(代码)研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注 子器件,半导体异质结 兼容低维材料与光电子 器件

大功率半导体激光器04.同上学习过半导体或 光电子课程,硕 博连读

氮化镓基激光器;新型05.同上硕博连读 宽禁带半导体光电子器 件

氮化镓基蓝紫光激光器06.同上 和太阳盲紫外焦平面探 测器的设计和研制;基 于III-V族半导体的红 外焦平面探测器

非线性全光逻辑及全光07.同上 信号处理;芯片光互连、高速光调制/光开关 ;通讯用有源、无源光 器件

高效硅基太阳电池08.同上物理系毕业者优 先

光电子与信号处理、光09.同上 纤传感技术

光通信、光传感系统与10.同上 器件

光子晶体材料、物理、11.同上物理类学生优先 器件与集成光子微结构材料物理光12.同上物理或光电子专 学特性及其器件研究业考生优先

硅基光波导无源器件、13.同上物理、电子、电 光波导传感器力或生物专业

基于硅基光电子的波导14.同上硕博连读

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联系部门:研究生部电话:010-82304321联系人:徐金威 学科、专业名称(代码)研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注 器件、光开关、调制器 和片上光互连系统,光 移相器与慢光器件等

量子点及锑化物二类超15.同上 晶格MBE材料生长,量 子点及锑化物二类超晶 格红外探测器及激光器 研究

纳米结构半导体量子阱16.同上硕博连读、量子点材料生长与激 光器等应用研究;新型 高效太阳能电池研究

锑化物二类超晶格红外17.同上 激光器的研究、表面等 离子激元材料及器件研 究、纳米光源的研究

微波功率晶体管、量子18.同上 点晶体管探测器、高效 太阳能电池、半导体存 储器

微纳光电子器件及集成19.同上熟悉光波导基本 研究理论及半导体光 电子器件

微纳光子学器件物理、20.同上 微腔激光器及光集成新型半导体材料和器件21.同上 研究

新型光电子器件;硅基22.同上 光子学研究

新型光电子器件及其应23.同上 用

新型信息光电子器件、24.同上

第6页2010年8月27日10时46分12秒

单位代码:80136北京市海淀区清华东路地址:邮政编码:100083 甲35号

联系部门:研究生部电话:010-82304321联系人:徐金威 学科、专业名称(代码)研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注 射频与光电子集成电路、高速并行光传输模块 与系统

利用光子学和微纳加工25.同上硕博连读..技术研制基因测序芯片、Lab on chip等生物 传感器

量子点红外探测器及锑26.同上..化物二类超晶格红外探 测器的研究;锑化物二 类超晶格红外激光器的 研究;大功率半导体激 光器的研究

080902电路与系统

半导体人工神经网络硬01.①101思想政治理论②201..件化实现及其应用研究英语一③301数学一④856 电子线路或859信号与系 统

光电信息探测及成像02.同上..光电应用03.同上..目标探测、识别与跟踪04.同上..技术、系统

图像处理与模式识别新05.同上..理论、新方法

先进射频毫米波集成电06.同上..路设计

高速智能图像传感器芯07.同上..片设计

智能感知与先进计算模08.同上..型、算法及其应用技术

多信息融合技术09.同上..时空三维重建可视化技10.同上..第7页2010年8月27日10时46分12秒

单位代码:80136北京市海淀区清华东路地址:邮政编码:100083 甲35号

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学科、专业名称(代码)总招生 考 试 科 目备 注 研究方向人数

11.机器学习与智能计算技 同上 术、系统

080903微电子学与固体电子业务课二:选光电

学子方向为976半导 体物理与977固体 物理,二选一;选 微电子方向为976 半导体物理与856 电子线路,二选一

01.新型微电子、光电子器 ①101思想政治理论②201 件及其集成技术的研究

英语一③301数学一④856、开发、中试规模的生

电子线路或976半导体物 产(微电子、光电子方

理或977固体物理 向均可)

02.新型微电子、光电子器 同上

件及其集成技术的研究、开发与应用(微电子、光电子方向均可)

03.量子阱红外探测器(微 同上

电子、光电子方向均可)

04.半导体纳米器件和电路 ①101思想政治理论②201 英语一③301数学一④856 电子线路或976半导体物 理

05.高速数模混合电路系统 同上 集成研究

06.高速智能图像传感器芯 同上 片设计

07.图画与动漫的自动生成 同上

硕博连读

08.微纳机电系统 同上

硕博连读

09.先进射频毫米波集成电 同上 路设计

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考 试 科 目备 注

新型微机电(MEMS)器10.同上 件与系统的研究

新型信息光电子器件、11.同上 射频与光电子集成电路、高速并行光传输模块 与系统

半导体低维结构材料、12.①101思想政治理论②201 宽带隙半导体材料、半英语一③301数学一④976 导体光伏材料与器件和半导体物理或977固体物 半导体材料物理理

半导体材料与器件物理13.同上 半导体光电探测器、单14.同上 光子探测及电路;高效 太阳电池基础研究

半导体量子点材料与量15.同上 子器件,半导体异质结 兼容低维材料与光电子 器件

半导体新型量子结构器16.同上 件

大功率半导体激光器17.同上学习过半导体或 光电子课程,硕 博连读

大功率宽禁带SiC外延18.同上微电子专业考生 材料与器件制造技术研 究

氮化镓基激光器;新型19.同上硕博连读 宽禁带半导体光电子器 件

氮化物材料生长与应用20.同上 研究;新型高效太阳电 池制备与性能研究;新

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考 试 科 目备 注 型异质结半导体高效光 伏材料与器件

III族氮化物材料生长21.同上..用MOCVD等重大装备研 制;半导体低维结构材 料、宽带隙半导体材料 和器件应用

高效硅基太阳电池22.同上物理系毕业者优..先

光电子集成器件;新型23.同上学过固体物理、..光伏材料和器件半导体物理、量 子力学、光电子 学课程,动手能 力较强

光电子学、集成光电子24.同上..、光子晶体材料、物理、器件与集成光通信、光传感系统与25.同上..器件

光子晶体材料、物理、26.同上物理类学生优先..器件与集成硅基光电子材料和器件27.同上..红外量子材料及器件(28.同上..量子级联激光器、探测 器;太赫兹材料及器件..)基于InP光电子器件的29.同上..集成宽禁带半导体材料生长30.同上..与光电子器件研制

新型光电子器件及其应31.同上..用

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考 试 科 目备 注

宽禁带半导体材料物理32.同上 与应用;半导体纳米功 能材料及其器件应用

量子点及锑化物二类超33.同上 晶格MBE材料生长,量 子点及锑化物二类超晶 格红外探测器及激光器 研究

纳米结构半导体量子阱34.同上硕博连读、量子点材料生长与激 光器等应用研究;新型 高效太阳能电池研究

微波功率晶体管、量子35.同上 点晶体管探测器、高效 太阳能电池、半导体存 储器

微波光电子学36.同上

新型光电子器件;硅基37.同上 光子学研究

用于光通信与光信息处38.同上 理的片上集成光子器件 与系统;并行超高速光 学数字信号处理器

针对光纤通信和光网络39.同上 的基于InP的光电子集 成高迁移率CMOS器件40.同上物理学、光学、光电、材料专业 者优先

量子点晶体管探测器、41.同上 高效太阳能电池

微纳结构在高增益弱光42.同上

第11页2010年8月27日10时46分12秒

单位代码:80136北京市海淀区清华东路地址:邮政编码:100083 甲35号

联系部门:研究生部电话:010-82304321联系人:徐金威 学科、专业名称(代码)研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注 探测中的应用

光子集成、光子晶体43.同上..新型高效硅薄膜电池的44.同上半导体物理基础..结构设计好,半导体光电 相关专业

085204材料工程

GaN基半导体材料及其01.①101思想政治理论②204..应用、产业化开发英语二③302数学二④976 半导体物理或977固体物 理

薄膜和微结构半导体材02.同上..料科学技术

纳米电子、光子材料及03.同上..器件

LED光效率提升研究04.同上..GaN LED外延技术开发05.同上..新型高效率太阳电池技06.同上..术研究;GaN基稀磁半 导体薄膜材料的研究

GaN基第三代半导体发07.同上..光器件关键技术工程化 研究

石墨烯光电子学08.同上..半导体照明及其重大装09.同上..备

085208电子与通信工程

表面等离子激元材料及01.①101思想政治理论②204..器件研究,新型半导体英语二③301数学一④856 激光器研究电子线路或976半导体物 理

GaN基半导体材料及其02.同上..应用、产业化开发

第12页2010年8月27日10时46分12秒

单位代码:80136 联系部门:研究生部

北京市海淀区清华东路地址: 甲35号

电话:010-82304321 邮政编码:100083 联系人:徐金威

学科、专业名称(代码)研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注

GaN基第三代半导体发03.同上 光器件关键技术工程化 研究

光纤激光器与光纤传感04.同上 用于光通信与光信息处05.同上 理的片上集成光子器件 与系统

085209集成电路工程

数模混合集成电路01.①101思想政治理论②204 英语二③301数学一④856 电子线路或976半导体物 理

半导体纳米器件和电路02.同上 激光器驱动与探测模块03.同上

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