电工电子技术笔记_电工与电子技术笔记

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二极管 diode（从制造材料分：硅二极管，锗二极管）

（从制造结构分：点接触二极管，面接触二极管）

点接触二极管：PN结面积小，结电容小，适用高频，但不能通过很大电流，用于小电流整流和检波、混频等。

点接触二极管：PN结面积大，适用较低频，允许通过较大电流，可用于整流。

通常，硅管死区（在某电压以下导电性不明显）电压为0.5V，锗管约为0.1V。导通时，二极管正向压降基本为一常数，硅管约为0.6～0.7V，锗管约0.2～0.3V。

普通二极管的反向击穿电压U(BR)一般在几十伏以上。

主要参数：

1.最大整流电流 IOM（允许通过的最大正向平均电流，超过易过热烧毁）

2.最大反向电压URWM（允许的最大工作电压，其值通常取击穿电压U(BR)的一半）

3.反向峰值电流IRM（最大反向电压时的反向电流值，此值越小，二极管单向导电性

越好，该值受温度影响很大）

分析二极管应用电路，关键是判断二极管是导通还是截止，其方法是先将二极管拆去，然后观察二极管是正压还是反压，导通还是截止。二极管导通时，一般用电压源UD=0.7V（硅管，锗管用0.3V）代替。

稳压二极管（采用硅材料，掺杂浓度高，通常工作在反向击穿区）

1.稳定电压UZ，工作在反向击穿区的稳定工作电压的边界最大电压

三极管audion（按结构分，有硅平面管和锗合金管两种，无论平面型还是合金型都分成NPN型和PNP型两类）内部包含三个区：发射区、基区和集电区，各引出三个电极：发射极E、基极B和集电极C，发射区与基区的PN结成为发射结，集电区和基区的PN结称为集电结。