重庆产业类重大主题专项申报_重庆市课题申请书
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附件1
2018年重庆市集成电路产业重大主题专项项目
申报指南
1、智能网联汽车芯片研发及应用
研究内容：面向智能网联汽车电子控制器系统应用需求，实现关键芯片本地配套，开展汽车用导航芯片和滤波器芯片设计技术研究，突破低功耗可重构射频前端设计、高带外抑制滤波设计等关键技术，形成自主知识产权的导航芯片和滤波器芯片，基于自主芯片开发导航和控制模块，并优先通过本地整车厂装车应用验证。
考核指标：
整体技术水平达到国内领先水平，具体指标为：
导航芯片：①首次定位时间：冷启动：≤29s；温启动：≤28s；热启动：≤1s；重捕获：≤1s；②多系统联合定位模式灵敏度：冷启动：≤-148dBm；热启动：≤-156dBm；跟踪：≤-160dBm；
滤波器芯片：中心频率：433.92MHz；3dB带宽：≤1MHz；带外抑制：≥55dB；
在整车厂通过20辆装车应用验证，进入整车供应体系。完成时限：3年
建议经费：财政资金资助经费不超过1000万元。
2、智能电控汽车芯片研发及应用
研究内容：面向智能电控汽车电子控制器系统应用需求，实现关键芯片本地配套，开展汽车用高精度运算放大器和二极管芯片设计技术研究，突破高精度运算放大设计、反向低漏电设计等关键技术，形成自主知识产权的运算放大器和肖特基二极管，基于自主芯片开发电子控制器模块，并优先通过本地整车厂装车验证试验。
考核指标：
整体技术水平达到国内领先水平，具体指标为：
运算放大器芯片：精度2mV；工作电压范围5∽30V；电流≤1.2mA；
二极管：最大正向工作电流≥2A；最大反向工作电压≥100V；最大反向漏电流≤10uA；ESD：人体模型8KV；
在整车厂通过20辆装车验证试验，进入整车供应体系。研发周期：3年
建议经费：财政资金资助经费不超过1000万元。
3、智能终端芯片研发及应用
研究内容：面向智能终端市场应用需求，解决手机存储芯片与电源芯片的本地配套，开展新一代存储器芯片和电源同步整流芯片等设计技术研究，突破集成电路芯片封装基板设计、内存控制器、MCM先进混合的集成电路、自供电控制和同步整流等关键技术，形成新一代存储器芯片和电源同步整流芯片，结合本地智能终端企业开展应用研究并实现整机产业化。考核指标：
整体技术水平达到国内领先水平，具体指标为：
新一代存储器芯片：集成NAND控制器芯片，接口协议:NVMe 1.3；1MB 顺序读带宽:每秒3500MB；1MB 顺序写带宽:每秒3000MB；4KB 随机读IOPS:600K IOPS；4KB 随机写IOPS:600K IOPS；RAID 保护:RAID5/6；4KB码字LDPC:最高支持频率200KHZ；
电源同步整流芯片：集成MOSFET、控制芯片IC、电容；可靠性满足JEDEC要求；满足COC V5和DoE 6能效标准；静态电流≤400uA；
项目执行期实现新一代存储器芯片500万片，销售额不少于1亿元以上；电源同步整流芯片实现年3000万片同步整流模块，销售额不少于1亿元；整机本地配套100万台。
研发周期：3年
建议经费：财政资金资助经费不超过1000万元。
4、全球体制北斗多模卫星导航通信射频芯片研发与产业化
研究内容：面向兼容北斗三号的全球卫星导航系统高精度和全球短报文专业应用领域，开展高精度卫星导航射频芯片设计技术研究，突破多系统全频点卫星导航射频接收机架构、多通道可重构接收机、单芯片多通道射频隔离、大动态AGC、宽带低功耗下变频、超低功耗低噪声放大器等关键技术，形成具有自主知识产权的芯片产品并实现产业化。
考核指标：
整体技术水平达到国内领先水平，具体指标为：
高精度卫星导航射频芯片：并行接收北斗三号、北斗二号、GPS、GLONASS、Galileo卫星导航系统全频点GNSS信号；功耗≤300mW ；AGC动态范围 ≥70dB；通道增益 ≥85dB；噪声系数（常温）≤6dB；接收带宽≥60MHz。北斗三号全球短报文射频芯片：支持北斗三号全球短报文信号；接收功耗≤150W；接收噪声系数（常温）≤6dB；发射输出功率≥0dBm；发射BPSK调制误差≤2°。
超低功耗低噪声放大器系列芯片：功耗≤3mW；增益≥15dB；噪声系数（常温）≤1dB。
以上芯片项目执行期实现累计销售收入不少于3000万元。研发周期：3年
建议经费：财政资金资助经费不超过800万元。5、5G通信射频前端及转换器核心芯片研发与产业化
研究内容：针对5G通信终端和基站的应用需求，开展射频薄膜腔声谐振滤波器、低噪声放大器等射频前端芯片以及高速DAC转换器设计技术研究，突破高Q值低杂波薄膜腔声谐振谐振器、宽带低噪声、高速时序控制等关键技术，形成5G通信射频前端及转换器核心芯片并实现产业化。
考核指标：
整体技术水平达到国内领先水平，具体指标为：
5G通信移动终端薄膜腔声谐振射频滤波器芯片：基于6英寸薄膜腔声谐振工艺平台，形成4款以上薄膜腔声谐振产品，工作频率覆盖1~6GHz，包括2.55-2.65GHz、3.3-3.4GHz、3.4-3.6GHz、4.8-5.0GHz；
5G通信基站用4通道16位3GSPS D/A转换器芯片：分辨率：16位；采样率：3GSPS；通道数：4；DNL：±5 LSB；INL：±8 LSB；SFDR：55 dBFS；数据Lane rate：10 Gbps；
5G基站用高性能低噪放芯片：工作频段：0.6GHz~4.2GHz；噪声系数：≤0.7dB；增益：≥20dB；OP1dB：≥19dBm；输出三阶交调：≥32dBm。
以上芯片项目执行期实现累计销售收入不少于4000万元。研发周期：3年
建议经费：财政资金资助经费不超过800万元。
6、安全物联网芯片研发与产业化
研究内容：面向智慧城市及物联网的安全应用，提高智慧城市及物联网传输中的安全性，基于NB-IoT芯片开展国密算法硬件嵌入技术研究。突破对称、非对称等算法在物联网传输中的关键技术，开发支持国密SM1-SM4算法身份认证、数据加解密等功能的国密安全级NB-IoT芯片并实现产业化。
考核指标：整体技术水平达到国内领先水平，具体指标为：支持R14以上版本，数据最大上行速率≥150kbps，最大下行数据速率≥100bps；支持国密SM1/SM2/SM3/SM4算法；内置独立32位MCU；支持OpenCPU方案；PSM平均电流≤2 uA（NB-IoT）；MCU模式平均电流≤8uA（NB-IoT）；支持TEE安全执行环节；支持TEE eSIM；支持I2C/I2S/UART/SPI/ADC/DAC/ TIMER/ Comparator等丰富的接口；项目执行期实现销售收入不少于3000万元。
研发周期：3年
建议经费：财政资金资助经费不超过800万元。
7、物联网智能终端核心芯片研发与产业化
研究内容：面向新一代物联网eMTC通信需求，开展高性能物联网基带和射频集成技术研究，突破高性能基带处理技术和终端低功耗控制技术，形成物联网智能终端核心芯片并实现产业化。考核指标：综合技术水平达到国内领先水平，具体指标为：支持eMTC、NB-IOT，支持3GPP R13或更高版本；支持TD-LTE Band39/41，LTE-FDD Band3/5/8；支持PSM和eDRX节电模式；支持IPv6；采用基带和射频一体化设计；项目执行期实现销售收入不少于1000万元。
研发周期：3年
建议经费：财政资金资助经费不超过400万元。
8、高性能数字伺服控制专用芯片研发与产业化
项目内容：面向服务机器人、玩具机器人等领域对小型化、高精度、高可靠的伺服控制需求，开展伺服控制系统构架与建模、可配置伺服控制电路设计技术研究，突破伺服控制算法设计、抗干扰设计等关键技术，形成高性能数字伺服控制专用芯片并实现产业化。
考核指标：综合技术水平达到国内领先水平，具体指标为：A/D转换器精度：14位；A/D转换器速度：>1M；PWM和SPWM驱动频率：25KHz到100KHz可调；串行通信总线速度：20MHz；位置环控制周期：0.2ms；速度环控制周期：0.1ms；力矩环控制周期：0.1ms；项目执行期实现销售收入不少于1000万元。
完成时限：3年
建议经费：财政资金资助经费不超过400万元。
9、工业互联网无线专用SoC研发及产业化
研究内容：面向工业互联网对资产跟踪、人员管理、生产制造大数据采集、监控和智能分析的需求，开展sub-1G的低功耗宽带工业互联网无线专网芯片解决方案研究，突破可靠覆盖、安全、低时延、低功耗、高密度覆盖以及室内定位等关键技术，形成自主知识产权的工业互联网无线专用SoC芯片并实现产业化。
考核指标：综合技术水平达到国内领先水平，具体指标为：支持无线频率300-900MHz；支持国际AES/ECC加密以及国密加密安全算法 SM2/SM3/SM4；频道带宽支持 100K-2MHz, 可扩展到4，8，16 MHz；通讯速率： 10Kbps – 20 Mbps(可扩展到200Mbps)；接收灵敏度：-130 dBm；典型覆盖距离： 5 公里；终端电池待机时间： 10 年（低频使用，电池容量 700 毫安时/3.6V）；主动接收电流： 8 毫安；发射功率：15-20 dBm；支持接口：USB，SPI，I2C，UART，I2S，以太网，CAN/LIN 总线，GPIO，PWM，ADC 模拟接口等。项目执行期实现销售收入不少于2000万元。
研发周期：3年
建议经费：财政资金资助经费不超过400万元。
10、磁场控制200mm高阻值硅片开发及产业化
研究内容：面向高频射频芯片、多通道高电压数字隔离芯片需求，开展高阻值集成电路单晶硅生长等技术研究，突破熔体磁场控制等关键技术，形成200mm高阻硅片并实现产业化。
考核指标：综合技术水平达到国内领先水平，具体指标为：电阻≥3000Ω；200mm径向电阻率变化≤10%；STIR≤30μm；表面金属含量≤5×108 atom；项目执行期实现销售收入不少于2000万元。
研发周期：3年
建议经费：财政资金资助经费不超过400万元。
11、高性能APD光电探测器专用芯片研发及产业化
项目内容：面向激光半主动导引头远距离、高精度精确制导探测应用领域，以及空间激光自由度通讯、动态目标和静态目标非接触检测、精密测量、生物医学、光镊技术等民用领域市场需求，开展感知、测量、识别应用的4英寸高偏压硅四象限APD阵列传感器芯片研发，达到稳定、精确和可靠的探测、扫描成像等功能，实现产业化。
考核指标：综合技术水平达到国内领先水平，具体指标为：光敏面≥Ф4mm，象限数4；暗电流典型值10nA；响应度≥30A/W（λ=1064nm）以上，击穿电压300V-500V，光谱响应范围500nm-1100nm；结电容4pF，上升时间5nS；光电流非均匀性土5％，温系数3.3V/K；项目执行期实现销售收入不少于1000万元。
研发周期：3年
建议经费：财政资金资助经费不超过400万元。
12、基于功率MOSFET的高性能全桥整流芯片研发及产业化
研究内容：面向在工业电子等应用领域的需求，开展高性能功率半导体MOSFET芯片和全桥整流芯片设计及应用技术研究，突破MOSFET多芯片设计和SiP封装技术，形成低损耗、抗老化干扰的小型化全桥整流芯片产品并实现产业化。
考核指标：综合技术水平达到国内领先水平，具体指标为：MOSFET ID≤300A；VDS＜200V；实现MOSFET模块的产品产业化，项目执行期间实现销售收入不少于1000万元。
研发周期：3年
建议经费：财政资金资助经费不超过300万元。
13、高精度低温漂仪表放大器系列芯片研发和产业化
项目内容：面向高端仪器仪表制造的应用需求，开展仪表放大器的设计、仿真、制造等技术研究，突破仪表放大器低功耗、低输入失调电压、低输入偏置电流、低输入失调电流和低增益误差等关键技术，形成仪表放大器芯片的研制并实现产业化。
考核指标：综合技术水平达到国内领先水平，具体指标为：电压范围±2.3V-±18V；输入失调电压≤500μV；输入失调电流≤2nA；输入偏置电流≤4nA ；增益误差≤0.3%；项目执行期实现销售收入不少于1500万元。
研发周期：3年
建议经费：财政资金资助经费不超过300万元。
