F2812烧写个人总结增加程序_个人总结结束语怎么写

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在仿真器中将程序调试好，将程序烧入flash之前，需要做以下工作：

一、硬件上确保DSP的XMP/MC管教接地，且SCIATXDA脚接高电平；

XMP/MC接地为低电平：表示微机算计模式，那么0x3F FFC0指向的是2812的片内FLASH的地址。上电复位后，复位向量是指向片内Flash的0x3F FFC0。2812有一块flash地址从0x3F F000-0x3F FFFF在出厂时已经固化好了引导程序。在0x3F FFC0处是一条跳转指令，跳到iniboot（地址0x3F FB50）函数处执行iniboot代码，该iniboot代码就是ti在dsp出厂时固化在flash中的。Iniboot函数判断几个GPIO引脚来判断使用哪一种引导模式，比如flash boot模式，检测SPICLKA，SCITXA，GPIO34的电平，当都为高电平时表明是片内flash boot模式，那么initboot执行完后跳转到0x3F 7FF6处，此位置刚好在128位（CSM）密码位置之前，你要在0x3F 7FF6处放置跳转指令(codestart:>BEGIN,PAGE=0)，以跳转到你要去的地方。

BEGIN

: origin = 0x3F7FF6, length = 0x000002

codestart

: > BEGIN

PAGE = 0

SCIATXDA脚接高电平：是为那选择2812以FLASH作为引导模式

我们在这里可以看到Flash启动模式，需要将GPIOF4，设置为高电平，其他三个引脚状态任意。其配置如下：

二、向工程中添加F2812_EzDSP_FLASH_lnk.cmd文件，它是用于flash烧写的CMD文件，用于替换原有的用于RAM中调试的F2812_EzDSP_RAM_lnk.cmd文件。

三、添加DSP281x_Headers_nonBIOS.cmd文件，用于将DSP28头文件中的外设结构与存储器地址对应起来；

四、添加DSP281x_CodeStartBranch.asm文件，此文件负责上电后程序执行顺序跳转的；

五、main函数

六、编写定义Initflash()函数，并且添加语句#pragma CODE_SECTION(InitFlash, “ramfuncs”)，改语句功能是将InitFlash函数写入RAM中，因为InitFlash经常被调用，这样省得每次都从flash中写入RAM。如果还有经常反复调用的函数，也可自行添加类似语句，需注意#pragma CODE_SECTION(InitFlash, “ramfuncs”)应该写在函数Initflash()所在的C文件中，并且在函数之前声明；

七、在main函数中写以下语句，功能是从flash中将程序复制到RAM中，memcpy(&ramfuncs_runstart,&ramfuncs_loadstart,&ramfuncs_loadend&RamfuncsLoadStart);Initflash();所以，我们需要定义所用变量：extern Uint16 RamfuncsLoadStart;extern Uint16 RamfuncsLoadEnd;extern Uint16 RamfuncsRunStart;我的这些定义都是：DSP281x_GlobalPrototypes.h 当中,当然，也可以放在其他系统初始化的地方。Memcpy这个函数应该是rts2800_ml.lib库文件中自带的，不需要我们定义。关于FLASH的初始化配置Initflash();我把它放置在Memcpy函数之后。关于ramfuncs，则在系统初始化中定义即可。如:sysctrl.c中#pragma CODE_SECTION(InitFlash, “ramfuncs”);另外，许多朋友没有注意需要定义自己其他子程序，导致最终运行的主程序还是在FLASH中，比如你需要运行的子程序ABC，则需要定义#pragma CODE_SECTION(ABC, “ramfuncs”）