模拟电子技术基础知识点总结资料_诊断学基础知识点总结
模拟电子技术基础知识点总结资料由刀豆文库小编整理，希望给你工作、学习、生活带来方便，猜你可能喜欢“诊断学基础知识点总结”。
模拟电子技术复习资料总结
第一章 半导体二极管
一.半导体的基础知识
1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性
*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7.PN结
* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。8.PN结的伏安特性
二.半导体二极管
*单向导电性------正向导通，反向截止。*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴(正偏)，二极管导通(短路);若 V阳
该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2)等效电路法
直流等效电路法
*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴(正偏)，二极管导通(短路);若 V阳
微变等效电路法
三.稳压二极管及其稳压电路
*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章 三极管及其基本放大电路
一.三极管的结构、类型及特点 1.类型---分为NPN和PNP两种。
2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触
面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。
二.三极管的工作原理 1.三极管的三种基本组态
2.三极管内各极电流的分配
* 共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件
式子
称为穿透电流。
3.共射电路的特性曲线
*输入特性曲线---同二极管。
* 输出特性曲线
(饱和管压降，用UCES表示
放大区---发射结正偏，集电结反偏。截止区---发射结反偏，集电结反偏。4.温度影响
温度升高，输入特性曲线向左移动。
温度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。三.低频小信号等效模型（简化）hie---输出端交流短路时的输入电阻，常用rbe表示；
hfe---输出端交流短路时的正向电流传输 常用β表示；
四.基本放大电路组成及其原则
1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。2.组成原则----能放大、不失真、能传输。
比，五.放大电路的图解分析法 1.直流通路与静态分析
*概念---直流电流通的回路。*画法---电容视为开路。*作用---确定静态工作点
*直流负载线---由VCC=ICRC+UCE 确定的直线。
*电路参数对静态工作点的影响
1）改变Rb ：Q点将沿直流负载线上下移动。
2）改变Rc ：Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。3）改变VCC：直流负载线平移，Q点发生移动。2.交流通路与动态分析
*概念---交流电流流通的回路
*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。*作用---分析信号被放大的过程。
*交流负载线---连接Q点和V CC’点 V CC’= UCEQ+ICQR L’的直线。
3.静态工作点与非线性失真
（1）截止失真
*产生原因---Q点设置过低
*失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。*消除方法---减小Rb，提高Q。（2）饱和失真
*产生原因---Q点设置过高
*失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。*消除方法---增大Rb、减小Rc、增大VCC。
4.放大器的动态范围
（1）Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。（2）范围
*当（UCEQ－UCES）＞（VCC’ － UCEQ）时，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。
*当（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ）时，受饱和失真限制，UOPP=2UOMAX=2（UCEQ－UCES）。
*当（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ），放大器将有最大的不失真输出电压。六.放大电路的等效电路法 1.静态分析
（1）静态工作点的近似估算
（2）Q点在放大区的条件
欲使Q点不进入饱和区，应满足RB＞βRc。2.放大电路的动态分析
* 放大倍数
* 输入电阻
* 输出电阻
七.分压式稳定工作点共 放大电路的等效电1．静态分析
射 路法
2．动态分析 *电压放大倍数
在Re两端并一电解电容Ce后
输入电阻
在Re两端并一电解电容Ce后
* 输出电阻
八.共集电极基本放大电路 1．静态分析
2．动态分析 * 电压放大倍数
* 输入电阻
* 输出电阻
3.电路特点
* 电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。* 输入电阻高，输出电阻低。
第三章 场效应管及其基本放大电路
一.结型场效应管（JFET）1.结构示意图和电路符号
2.输出特性曲线
（可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）
转移特性曲
线 UP-----截止电压
二.绝缘栅型场效应管（MOSFET）
分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。结构示意图和电路符号
2.特性曲线
*N-EMOS的输出特性曲线
* N-EMOS的转移特性曲线式中，IDO是UGS=2UT时所对应的iD值。* N-DMOS的输出特性曲线
注意：uGS可正、可零、可负。转移特性曲线上iD=0处的值是夹断电压UP，此曲线表示式与结型场效应管一致。三.场效应管的主要参数 1.漏极饱和电流IDSS 2.夹断电压Up 3.开启电压UT
4.直流输入电阻RGS
5.低频跨导gm(表明场效应管是电压控制器件)
四.场效应管的小信号等效模型
E-MOS 的跨导gm---
五.共源极基本放大电路 1.自偏压式偏置放大电路 * 静态分析
动态分析
若带有Cs，则
2.分压式偏置放大电路 * 静态分析
* 动态分析
若源极带有Cs，则
六.共漏极基本放大电路
* 静态分析
或
* 动态分析
第五章 功率放大电路
一.功率放大电路的三种工作状态 1.甲类工作状态
导通角为360o，ICQ大，管耗大，效率低。2.乙类工作状态
ICQ≈0，导通角为180o，效率高，失真大。3.甲乙类工作状态 导通角为180o~360o，效率较高，失真较大。二.乙类功放电路的指标估算 1.工作状态
任意状态：Uom≈Uim 尽限状态：Uom=VCC-UCES 理想状态：Uom≈VCC
2.输出功率3.直流电源提供的平均功率
4.管耗 Pc1m=0.2Pom
5.效率
理想时为78.5% 三.甲乙类互补对称功率放大电路 1.问题的提出
在两管交替时出现波形失真——交越失真(本质上是截止失真)。2.解决办法
甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL----利用二极管、三极管和电阻上的压降产生偏置电压。
动态指标按乙类状态估算。
甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL----电容 C2 上静态电压为VCC/2，并且取代了OCL功放中的负电源-VCC。
动态指标按乙类状态估算，只是用VCC/2代替。四.复合管的组成及特点
1.前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。2.类型取决于第一只管子的类型。3.β=β1·β 2
第六章 集成运算放大电路
一.集成运放电路的基本组成1.输入级----采用差放电路，以减小零漂。
2.中间级----多采用共射(或共源)放大电路，以提高放大倍数。3.输出级----多采用互补对称电路以提高带负载能力。
4.偏置电路----多采用电流源电路，为各级提供合适的静态电流。二.长尾差放电路的原理与特点 1.抑制零点漂移的过程----当T↑→ iC1、iC2↑→ iE1、iE2 ↑→ uE↑→ uBE1、uBE2↓→ iB1、iB2↓→ iC1、iC2↓。
Re对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用，被称为“共模反馈电阻”。2静态分析
1)计算差放电路IC 设UB≈0，则UE=－0.7V，得
2)计算差放电路UCE • 双端输出时
• 单端输出时(设VT1集电极接RL)对于VT1：
对于VT2：
3.动态分析
1）差模电压放大倍数
• 双端输出 •
• 单端输出时
从VT1单端输出 ：
从VT2单端输出 ：
2）差模输入电阻3）差模输出电阻 • 双端输出：• 单端输出:
三.集成运放的电压传输特性
当uI在+Uim与-Uim之间，运放工作在线性区
四.理想集成运放的参数及分析方法 1.理想集成运放的参数特征 * 开环电压放大倍数 Aod→∞； * 差模输入电阻 Rid→∞； * 输出电阻 Ro→0；
* 共模抑制比KCMR→∞； 2.理想集成运放的分析方法 1)运放工作在线性区: * 电路特征——引入负反馈
* 电路特点——“虚短”和“虚断”: “虚短”---
域 ：
“虚断”---2)运放工作在非线性区
* 电路特征——开环或引入正反馈 * 电路特点——
输出电压的两种饱和状态: 当u+>u-时，uo=+Uom
当u+
两输入端的输入电流为零: i+=i-=0
第七章 放大电路中的反馈
一.反馈概念的建立
＊开环放大倍数－－－Ａ ＊闭环放大倍数－－－Ａｆ ＊反馈深度－－－１＋ＡＦ ＊环路增益－－－ＡＦ：
1．当ＡＦ＞０时，Ａｆ下降，这种反馈称为负反馈。2．当ＡＦ＝０时，表明反馈效果为零。
3．当ＡＦ＜０时，Ａｆ升高，这种反馈称为正反馈。
4．当ＡＦ＝－１时，Ａｆ→∞。放大器处于 “ 自激振荡”状态。二．反馈的形式和判断
1.反馈的范围----本级或级间。
2.反馈的性质----交流、直流或交直流。
直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存 在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈 则为交、直流反馈。
3.反馈的取样----电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。
（输出短路时反馈消失）
电流反馈：反馈量取样于输出电流。具有稳定输出电流的作用。
（输出短路时反馈不消失）
4.反馈的方式-----并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电
流形式相叠加。Rs越大反馈效果越好。
反馈信号反馈到输入端）
串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。Rs越小反馈效果越好。
反馈信号反馈到非输入端）5.反馈极性-----瞬时极性法：
（1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号 的频率在中频段。
（2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升
高用 + 表示，降低用 － 表示）。（3）确定反馈信号的极性。
（4）根据Xi 与X f 的极性，确定净输入信号的大小。Xid 减小为负反
馈；Xid 增大为正反馈。
三.反馈形式的描述方法
某反馈元件引入级间（本级）直流负反馈和交流电压（电流）串
联（并联）负反馈。
四.负反馈对放大电路性能的影响 1.提高放大倍数的稳定性 2.3.扩展频带
4.减小非线性失真及抑制干扰和噪声 5.改变放大电路的输入、输出电阻
*串联负反馈使输入电阻增加1+AF倍 *并联负反馈使输入电阻减小1+AF倍 *电压负反馈使输出电阻减小1+AF倍 *电流负反馈使输出电阻增加1+AF倍 五.自激振荡产生的原因和条件 1.产生自激振荡的原因
附加相移将负反馈转化为正反馈。2.产生自激振荡的条件
若表示为幅值和相位的条件则为：
第八章 信号的运算与处理
分析依据------“虚断”和“虚短” 一.基本运算电路 1.反相比例运算电路
R2 =R1//Rf
2.同相比例运算电路 R2=R1//Rf
3.反相求和运算电路
R4=R1//R2//R3//Rf
4.同相求和运算电路
R1//R2//R3//R4=Rf//R5
5.加减运算电路
R1//R2//Rf=R3//R4//R5
二.积分和微分运算电路 1.积分运算
2.微分运算
第九章 信号发生电路
一.正弦波振荡电路的基本概念
1.产生正弦波振荡的条件(人为的直接引入正反馈)自激振荡的平衡条件 : 即幅值平衡条件： 相位平衡条件：
2.起振条件: 幅值条件 ：相位条件:
3.正弦波振荡器的组成、分类 正弦波振荡器的组成(1)放大电路-------建立和维持振荡。
(2)正反馈网络----与放大电路共同满足振荡条件。(3)选频网络-------以选择某一频率进行振荡。
(4)稳幅环节-------使波形幅值稳定，且波形的形状良好。* 正弦波振荡器的分类
(1)RC振荡器-----振荡频率较低,1M以下;(2)LC振荡器-----振荡频率较高,1M以上;(3)石英晶体振荡器----振荡频率高且稳定。
模拟电子技术复习资料总结第一章 半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。3.本......
第一章 半导体基础和二极管（以概念为主）1、半导体的基本概念； 2、二极管的基本特性：单向导电性、伏安特性、反向击穿特性； 3、稳压管的伏安特性； 4、二极管和稳压管的主要参数；第二......
教案2014/ 2015 学年，第一学期课程名称 电路与模拟电子技术任课教师 周拓本学期学时数96 专业、班级 14物联网学生用教科书：《模拟电子技术基础》刘国巍主编学生用参考书：教案......
刀豆文库小编为你整合推荐6篇模拟电子技术基础试题，也许这些就是您需要的文章，但愿刀豆文库能带给您一些学习、工作上的帮助。......
刀豆文库小编为你整合推荐4篇模拟电子技术基础论文，也许这些就是您需要的文章，但愿刀豆文库能带给您一些学习、工作上的帮助。......
