太阳能总结(不全)_太阳能路工作汇报
太阳能总结(不全)由刀豆文库小编整理，希望给你工作、学习、生活带来方便，猜你可能喜欢“太阳能路工作汇报”。
太阳能电池材料与制备技术期中考试
一.基本概念（每题5分，合计35分）
1.有效分凝系数——固相中杂质浓度Cs与在熔体内部的杂质浓度CL0的比值。
2.投杂法——向已熔化的材料中加入杂质（易挥发的材料），单晶硅中掺入杂质的方法之一。
3.缩颈——单晶硅生长过程中，快速提升籽晶，缩小结晶直径的步骤，利于生长出无位错的单晶硅。
4.凝固界面——熔区前的固液界面。已区熔部分和熔区的界面。
5.强迫对流——为了加快热量和溶质的疏运，改善均匀性，籽晶和坩埚要相对转动，认为造成熔体的流动。
6.区熔提纯——把材料的一小部分熔化形成狭窄的熔区，并使熔区从锭棒的一端缓慢地移到另一端，进而达到中部材料浓度分布均匀。
7.平衡分凝系数 ——在一定温度的平衡状态下，杂质在固液两相中浓度的比值。
8.小平面效应——杂质在小平面区域分布异常的现象。小平面区是固－液界面偏离等温面的平坦区域。在小平面区杂质浓度与非小平面区有很大差异，具有明显的反常分凝现象。
9.放肩——单晶硅生长过程中，放慢籽晶提升速度和降低温度，将结晶直径放大到所需尺寸，形成一个近180度的夹角的步骤。
10.杂质倒流—— 锭料融化时带入新的杂质，并从熔化界面向凝固界面运动，使整个熔区杂质浓度增加的现象。
11.自然对流——在重力场中，以流体密度的差异产生的浮力为驱动力，浮力克服了粘滞力而形成的溶质的流动。受容器形状、重力场方向及热源的位置等因素影响。12.熔化界面——熔区后的固液界面。即锭料中熔区和未区熔部分的界面。二.简答题（每题10分，合计40分）1.小平面效应以及如何调平固液界面？
2.写出三氯氢硅合成工艺中可能的副反应方程式，为什么在三氯氢硅合成工艺流程中需要通入适当的氢气。
3.画出示意图简述直拉单晶硅法中的热传递形式。
4.分别写出正常凝固过程、一次区熔过程锭条中杂质浓度Cs公式，并说明各个物理量的含义。(1)正常凝固
（2）一次区熔过程
答：正常凝固过程：CS=KC0(1-g);S0表示全锭熔化时的总质量；C0=S0/1，表示起始浓度；K表示杂质的分凝系数，常数。
一次区熔：材料的一部分熔化形成狭窄的熔区，并使熔区从锭棒的一段缓慢地移动到另一端，进而达到中部材料的浓度分布。CS= C0[1-(1-K)e-Kx/L] 原始杂质浓度均匀C0；长度L；K表示杂质的分凝系数常数。
K-1 5.画出平衡分凝系数K0＞1时，在固液界面附近杂质的分布状态。
6.根据熔体中生长的热量输运模型，解释影响晶体生长速度和生长界面尺寸的因素。
7.说明为什么实际区熔时，最初几次要选择大熔区后几次用小熔区的工艺条件。
公式
三.论述题（每题15分，合计30分）
1.介绍悬浮区熔法的工艺，并说明针眼工艺及其技术特点是什么？
6.推导并说明熔体中生长的热力学条件。
1.根据非均匀成核的液滴模型，推导临界晶核条件，说明为什么非均匀成核比均匀成核容易。
2.论述在直拉法中杂质的掺入方法以及单晶中杂质均匀分布的控制方法。
第二章剩余部分
1.分凝现象——将含有杂质的晶态物质熔化后再结晶时，杂质再结晶的固体浓度Cs和未结晶的液体中浓度CL不同的现象。
2.硅铁——石英砂与焦炭在电弧炉中还原得到的工业级硅（金属硅或冶金硅），因为杂质中含量最多的是铁，所以又称为硅铁。
3.临界晶核——晶胚到晶核的临界状态，长大与消失的几率刚好相等。
4.热交换定向凝固——将金属硅熔化，再通过挥发性气体或炉渣进行精炼提纯，最后定向凝固完成金属硅的提纯。5.高纯多晶硅制备单晶硅片的流程
高纯多晶硅原料—装料和熔化－种晶－缩颈－放肩－等颈－收尾－单晶硅－切断、滚圆等－单晶硅片
1.比较三氯氢硅氢还原法和硅烷法制备高纯硅的优缺点。
2.详细介绍金属硅提纯的方法。
3.说明三氯氢硅氢还原法制备高纯硅的具体步骤。
1.三氯氢硅的制备:工业级硅经过酸洗、粉碎（60~100目），符合粒度的送入干燥炉，经热氮气流干燥后，送入沸腾炉，同时从炉底部通入适量的干燥HCL，进行三氯氢硅的合成。2.三氯氢硅的提纯：粗馏和精馏两道工艺。
3.三氯氢硅的还原：在加热流化床上放置高纯度多晶硅粉末，将精馏所得的纯SiHCl3与高纯度H2按一定比例投入反应炉，发生还原反应，使生成的多晶硅沉积在粉末上，制得高纯多晶硅。
4.太阳能电池用单晶硅加工工艺包括哪些过程？如何控制高质量的硅片？
5.论述直拉法工艺的定义、工艺流程、需控制的参数、特点。
控制的参数、特点：坩埚的位置、转速、上升速度、以及籽晶的转速和上升速度，热场的设计和调整。
6.在直拉单晶硅工艺中装料要注意什么？
7.写出多晶硅和单晶硅表面制造类似绒面结构的化学方程式。
8.说明正常凝固后锭条杂质分布的三种情况。
B.K1,晶体头部杂质浓度大于尾部。
9.简述直拉法生长单晶的电阻率的控制方法。
10.论述拉制无位错单晶工艺。
将籽晶快速提升，结晶直径缩小到4到6mm，可达3mm，长度是此时直径的6到10倍。
11.论述直拉工艺中降低氧含量的措施。
12.推导BPS公式，并讨论影响分凝系数的因素。
第四章
1.浇铸法的基本原理和优缺。
2.热交换法的基本原理和优缺点。
（优）
无二次污染。
（缺）3．布里曼法的基本原理和优缺点。
4.论述铸造法制备高质量多晶硅需要考虑的因素。
（1）尽量均匀的固液界面温度。（2）尽量小的热应力。（2）尽量大的晶粒（4）尽量少的来自坩埚的污染。
第六章
1.简述边缘限制薄膜带硅生长技术及其工艺和材料特点。
EFG带硅晶体材料是多晶，晶粒尺寸大小约100um，晶粒生长方向趋向，表面平整度差，带硅内位错密度高，且分布不均匀。
由于石墨模具的损耗，带硅内会有碳杂质或者SiC沉淀存在，并且带硅的宽度和厚度随着晶体的生长都有所增加。
EFG带硅晶体材料的性能低于单晶硅材料或铸造多晶硅材料。
2.简述线牵引带硅生长技术及其不足。
优点：可以周期性地生产出硅薄片。具有良好的耐用性、稳定性，且生产的硅晶片可实现更高的转化效率。加工硅锭时无需使用消耗大量能源的铸造和机械加工方法。
3.简述枝网带硅技术及其特点。
4.简述工艺粉末带硅生长技术（SSP）及其优缺点。
5.简述衬底上的带硅生长技术。
6.横向拉晶法的工艺原理、画出工艺图并说明其技术特点。
第十四章 呼吸功能不全第一节 教学大纲要求⑴掌握呼吸衰竭的概念；呼吸衰竭的病因和发病机制；呼吸衰竭时酸碱平衡紊乱，呼吸系统变化，中枢神经系统变化，循环系统的变化。⑵熟悉肾功......
一、A型题1．呼吸功能不全是由于（0.304，0.421，03临床）A．通气障碍所致 D．外呼吸严重障碍所致 B．换气障碍所致E．内呼吸严重障碍所致 C．V/Q比例失调所致 [答案] D [题解] 呼吸功能不全又称......
1993-工业设计史部分一、解释题：(每题4分，共20分)1、“水晶宫”(Crystal Paliac)2、“新艺术”(Art Nouveau)3、“德意志制造联盟”(Deutscher Werkbund)4、“流线型”(Stream......
太阳能热水系统随着科学技术的发展，对太阳能的利用逐步提高，而太阳能热水器的利用也越来越普及。1太阳能热水器的发展史太阳能热水器的发展历史在我国可以追溯历史在1958年，天......
太阳能技术在节能建筑中的利用摘要建筑耗能是我国能源消耗的三大主要领域（工业耗能、交通耗能和建筑耗能）之一，而且随着中国经济的不断发展人们对居住环境舒适度的要求逐步提升......
