现代教育技术课件——半导体基础知识教案_信息技术基础知识课件

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《半导体基础知识》说课稿

尊敬的各位评委、各位老师：

大家好！今天我说课的内容是《模拟电子技术基础》第一章第1课时的《半导体基础知识》。下面我将从以下六个方面对本节课的设计加以阐述：

一、说教材的地位与作用

半导体是模拟电路的的主要内容，在模拟电子技术占有重要的地位。半导体技术应用广泛，衍生出很多半导体材料，其中半导体二极管，三极管为模拟电子技术基础的重点，所以本章节为本书籍的最底层，最基础的部分。同时，本章节也让同学认识到模拟电子技术的最原始的理论。

二、教学目标的确定及依据

根据教学大纲要求，结合教材，考虑到学生已有的认知结构心理特征，我制定了如下的教学目标：

(1)知识目标：认识什么是半导体，半导体的材料物理特性，电特性等概念。(2)能力目标：通过类比，让同学们认识到空穴，电子等概念，半导体的工作原理。

(3)情感目标：通过图解法与等效电路法的对比，使学生体验到两种方法能化难为简美妙之处，调动学生学习数学的积极性。

三、教学重点与难点

重点：

1、PN结的单向导电性；

2、PN结的伏安特性； 难点：

1、半导体的导电机理:两种载流子参与导电；

2、掺杂半导体中的多子和少子

3、PN结的形成；

四、教学组织过程

本讲宜教师讲授。用多媒体演示半导体的结构、导电机理、PN结的形成过程及其伏安特性等，便于学生理解和掌握。

五、主要内容

1、半导体及其导电性能

根据物体的导电能力的不同，电工材料可分为三类：导体、半导体和绝缘体。半导体可以定义为导电性能介于导体和绝缘体之间的电工材料，半导体的电阻率为10-3～10-9 cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。

半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别：当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化；往纯净的半导体中掺入某些特定的杂质元素时，会使它的导电能力具有可控性；这些特殊的性质决定了半导体可以制成各种器件。

2、本征半导体的结构及其导电性能

本征半导体是纯净的、没有结构缺陷的半导体单晶。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”，它在物理结构上为共价键、呈单晶体形态。在热力学温度零度和没有外界激发时,本征半导体不导电。

3、半导体的本征激发与复合现象

当导体处于热力学温度0 K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚而参与导电，成为自由电子。这一现象称为本征激发（也称热激发）。因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。

游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合。

在一定温度下本征激发和复合会达到动态平衡，此时，载流子浓度一定，且自由电子数和空穴数相等。

4、半导体的导电机理

自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，因此，在半导体中有自由电子和空穴两种承载电流的粒子（即载流子），这是半导体的特殊性质。空穴导电的实质是:相邻原子中的价电子（共价键中的束缚电子）依次填补空穴而形成电流。由于电子带负电，而电子的运动与空穴的运动方向相反，因此认为空穴带正电。

5、杂质半导体

掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。杂质半导体是半导体器件的基本材料。在本征半导体中掺入五价元素（如磷），就形成N型（电子型）半导体；掺入三价元素（如硼、镓、铟等）就形成P型（空穴型）半导体。杂质半导体的导电性能与其掺杂浓度和温度有关，掺杂浓度越大、温度越高，其导电能力越强。在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子。多子（自由电子）的数量＝正离子数＋少子（空穴）的数量 在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。多子（空穴）的数量＝负离子数＋少子（自由电子）的数量

6、PN结的形成及其单向导电性

半导体中的载流子有两种有序运动：载流子在浓度差作用下的扩散运动和电场作用下的漂移运动。同一块半导体单晶上形成P型和N型半导体区域，在这两个区域的交界处，当多子扩散与少子漂移达到动态平衡时，空间电荷区（亦称为耗尽层或势垒区）的宽度基本上稳定下来，PN结就形成了。

当P区的电位高于N区的电位时，称为加正向电压（或称为正向偏置），此时，PN结导通，呈现低电阻，流过mA级电流，相当于开关闭合；

当N区的电位高于P区的电位时，称为加反向电压（或称为反向偏置），此时，PN结截止，呈现高电阻，流过μA级电流，相当于开关断开。

PN结是半导体的基本结构单元，其基本特性是单向导电性：即当外加电压极性不同时，PN结表现出截然不同的导电性能。

PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。这正是PN结具有单向导电性的具体表现。

7、PN结伏安特性

uUTiISe1结伏安特性方程：PN

UT式中：Is为反向饱和电流；UT为温度电压当量，当T＝300K时，≈26mV

u当u＞0且u >>UT时，iISeUT，伏安特性呈非线性指数规律 ；，电流基本与u无关；由此亦可说明当u＜0且︱u︱>>UT时，PN结具有单向导电性能。

iIS0PN结的反向击穿特性：当PN结的反向电压增大到一定值时，反向电流随电压数值的增加而急剧增大。PN结的反向击穿有两类：齐纳击穿和雪崩击穿。无论发生哪种击穿，若对其电流不加以限制，都可能造成PN结的永久性损坏。

8、PN结温度特性

当温度升高时，PN结的反向电流增大，正向导通电压减小。这也是半导体器件热稳定性差的主要原因。

9、PN结电容效应

PN结具有一定的电容效应，它由两方面的因素决定:一是势垒电容CB，二是扩散电容CD，它们均为非线性电容。

势垒电容是耗尽层变化所等效的电容。势垒电容与PN结的面积、空间电荷区的宽度和外加电压等因素有关。

扩散电容是扩散区内电荷的积累和释放所等效的电容。扩散电容与PN结正向电流和温度等因素有关。

PN结电容由势垒电容和扩散电容组成。PN结正向偏置时，以扩散电容为主；反向偏置时以势垒电容为主。只有在信号频率较高时，才考虑结电容的作用。

六、课堂小结

引导学生进行知识回顾，使学生对本节课有一个整体把握．从两方面进行小结：

(1)认识半导体的工作原理；(2)掌握半导体的PN节特性；

七、课外作业