半导体物理物理教案(03级)_半导体物理电子教案
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课 程 教 案
学院、部:材料与能源学院
系、所;微电子工程系
授课教师:魏爱香,张海燕
课程名称;半导体物理
课程学时:64
实验学时:8
教材名称:半导体物理学
2005年9-12 月
授课类型:理论课 授课时间:2节
授课题目(教学章节或主题):
第一章半导体的电子状态
1.1半导体中的晶格结构和结合性质
1.2半导体中的电子状态和能带
本授课单元教学目标或要求:
了解半导体材料的三种典型的晶格结构和结合性质;理解半导体中的电子态, 定性分析说明能带形成的物理原因,掌握导体、半导体、绝缘体的能带结构的特点
本授课单元教学内容(包括基本内容、重点、难点,以及引导学生解决重点难点的方法、例题等):
1.半导体的晶格结构:金刚石型结构;闪锌矿型结构;纤锌矿型结构
2.原子的能级和晶体的能带
3.半导体中电子的状态和能带(重点,难点)
4.导体、半导体和绝缘体的能带(重点)
研究晶体中电子状态的理论称为能带论,在前一学期的《固体物理》课程中已经比较完整地介绍了,本节把重要的内容和思想做简要的回顾。
本授课单元教学手段与方法:
采用ppt课件和黑板板书相结合的方法讲授
本授课单元思考题、讨论题、作业:
作业题:44页1题
本授课单元参考资料(含参考书、文献等,必要时可列出)
1.刘恩科,朱秉升等《半导体物理学》,电子工业出版社2005
2.田敬民,张声良《半导体物理学学习辅导与典型题解》电子工业出版社2005
3.施敏著,赵鹤鸣等译,《半导体器件物理与工艺》,苏州大学出版社,2002
4.方俊鑫,陆栋,《固体物理学》上海科学技术出版社
5.曾谨言,《量子力学》科学出版社
注:1.每单元页面大小可自行添减;2.一个授课单元为一个教案;3.“重点”、“难点”、“教学手段与方法”部分要尽量具体;4.授课类型指:理论课、讨论课、实验或实习课、练习或习题课。
授课类型:理论课 授课时间:2节
授课题目(教学章节或主题):
第一章半导体的电子状态
1.3半导体中的电子运动——有效质量
1.4本征半导体的导电机构——空穴
本授课单元教学目标或要求:
理解有效质量和空穴的物理意义,已知e(k)表达式,能求电子和空穴的有效质量,速度和加速度
本授课单元教学内容(包括基本内容、重点、难点,以及引导学生解决重点难点的方法、例题等):
1.半导体中e(k)与k的关系(重点,难点)
2.半导体中电子的平均速度
3.半导体中电子的加速度
4.有效质量的物理意义(重点,难点)
5.本征半导体的导电机构— 空穴(重点)
补充2各课外讨论题和例题
1.2.出版社2005
3.2002
4.本授课单元教学手段与方法: 采用ppt课件和黑板板书相结合的方法讲授 本授课单元思考题、讨论题、作业: 作业题:44页2题,补充课外作业题1个 本授课单元参考资料(含参考书、文献等,必要时可列出)刘恩科,朱秉升等《半导体物理学》,电子工业出版社2005 田敬民,张声良《半导体物理学学习辅导与典型题解》电子工业施敏著,赵鹤鸣等译,《半导体器件物理与工艺》,苏州大学出版社,方俊鑫,陆栋,《固体物理学》上海科学技术出版社
5.曾谨言,《量子力学》科学出版社
注:1.每单元页面大小可自行添减;2.一个授课单元为一个教案;3.“重点”、“难点”、“教学手段与方法”部分要尽量具体;4.授课类型指:理论课、讨论课、实验或实习课、练习或习题课。
授课类型:理论课 授课时间:2节
授课题目(教学章节或主题):
第一章半导体的电子状态
1.5 回旋共振(了解)
1.6 硅和锗的能带结构(了解)
1.7 ⅲ-ⅴ族化合物半导体的能带结构(了解)
1.8 ⅱ-ⅵ族化合物半导体的能带结构(了解)
1.9 si1-xgex合金的能带结构(了解)
1.10宽带隙半导体材料(了解)
本授课单元教学目标或要求:
对于给定的能带图能确定导带底,价带顶的位置及能隙的大小,能辨别能带的简并度 了解各种半导体材料的能带结构特点。
本授课单元教学内容(包括基本内容、重点、难点,以及引导学生解决重点难点的方法、例题等):
1. k空间的等能面
2.介绍硅、锗、ⅲ-ⅴ族化合物、ⅲ-ⅴ族化合物、si1-xgex合金和宽带隙半导体材料的能带图 本授课单元教学手段与方法:
采用ppt课件讲授
本授课单元思考题、讨论题、作业:
作业题:44页3,4题
本授课单元参考资料(含参考书、文献等,必要时可列出)
1.刘恩科,朱秉升等《半导体物理学》,电子工业出版社2005
2.田敬民,张声良《半导体物理学学习辅导与典型题解》电子工业出版社2005
3.施敏著,赵鹤鸣等译,《半导体器件物理与工艺》,苏州大学出版社,2002
4.方俊鑫,陆栋,《固体物理学》上海科学技术出版社
5.曾谨言,《量子力学》科学出版社
注:1.每单元页面大小可自行添减;2.一个授课单元为一个教案;3.“重点”、“难点”、“教学手段与方法”部分要尽量具体;4.授课类型指:理论课、讨论课、实验或实习课、练习或习题课。
授课类型:理论课 授课时间:2节
授课题目(教学章节或主题):
第二章半导体中的杂质和缺陷能级(4学时)
2.1硅、锗晶体的杂质能级(掌握)
本授课单元教学目标或要求:
掌握硅、锗晶体中的施主杂质和施主能级,受主杂质和受主能级和深能级杂质
本授课单元教学内容(包括基本内容、重点、难点,以及引导学生解决重点难点的方法、例题等):
1.替位式杂质 间隙式杂质
2.施主杂质、施主能级(重点)
3.受主杂质、受主能级(重点)
4.浅能级杂质电离能的简单计算6
1.2.出版社2005 .杂质的补偿作用(重点).深能级杂质 本授课单元教学手段与方法: 采用ppt课件讲授 本授课单元思考题、讨论题、作业: 思考题:习题6 讨论题:习题1 作业题:习题2,3,7 本授课单元参考资料(含参考书、文献等,必要时可列出)刘恩科,朱秉升等《半导体物理学》,电子工业出版社2005 田敬民,张声良《半导体物理学学习辅导与典型题解》电子工业
3.施敏著,赵鹤鸣等译,《半导体器件物理与工艺》,苏州大学出版社,2002
4.方俊鑫,陆栋,《固体物理学》上海科学技术出版社
5.曾谨言,《量子力学》科学出版社
注:1.每单元页面大小可自行添减;2.一个授课单元为一个教案;3.“重点”、“难点”、“教学手段与方法”部分要尽量具体;4.授课类型指:理论课、讨论课、实验或实习课、练习或习题课。
授课类型:理论课 授课时间:2节
授课题目(教学章节或主题):
第二章半导体中的杂质和缺陷能级(4学时)
2.2 iii—v族化合物的杂质能级(了解)
2.3缺陷、位错能级(了解)
本授课单元教学目标或要求:
了解以gaas为代表的iii—v族化合物半导体中杂质能级的情况。
了解半导体中的缺陷和位错的能级
本授课单元教学内容(包括基本内容、重点、难点,以及引导学生解决重点难点的方法、例题等): 概括叙述各类杂质(ⅰ族元素,ⅱ族元素,ⅲ族元素,ⅳ族元素,ⅴ族元素,ⅵ族元素和过渡元素)在iii—v族化合物gaas和gap中的杂质能级。
介绍半导体中的点缺陷和位错。
本授课单元教学手段与方法:
采用ppt课件讲授
本授课单元思考题、讨论题、作业:
作业题:62页7题
本授课单元参考资料(含参考书、文献等,必要时可列出)
1.刘恩科,朱秉升等《半导体物理学》,电子工业出版社2005
2.田敬民,张声良《半导体物理学学习辅导与典型题解》电子工业出版社2005
3.施敏著,赵鹤鸣等译,《半导体器件物理与工艺》,苏州大学出版社,2002
4.方俊鑫,陆栋,《固体物理学》上海科学技术出版社
5.曾谨言,《量子力学》科学出版社
注:1.每单元页面大小可自行添减;2.一个授课单元为一个教案;3.“重点”、“难点”、“教学手段与方法”部分要尽量具体;4.授课类型指:理论课、讨论课、实验或实习课、练习或习题课。
授课类型:理论课 授课时间:2节
授课题目(教学章节或主题):
第三章半导体中的载流子的统计分布
3.1状态密度
3.2费米能级和载流子的统计分布
本授课单元教学目标或要求:
理解k空间和状态密度的意义,掌握在k空间中电子态密度的计算方法
理解半导体中费米能级的物理意义,掌握费米分布函数和玻耳滋蔓分布函数的意义及其应用 本授课单元教学内容(包括基本内容、重点、难点,以及引导学生解决重点难点的方法、例题等):
1. k空间中量子态的分布
2. 状态密度(重点)
3. 费米分布函数的表达式、意义及应用(重点,难点)
4. 费米能级的物理意义(重点,难点)
5. 玻耳滋蔓分布函数的意义及其应用(重点,难点)
这一次课的重点是让学生理解和掌握这些基本的物理概念,为后续章节的学习打好基础,所以课堂上主要通过5个课外实例的分析和解答加深对这些概念的理解和应用。
例题:5个,见讲稿。
本授课单元教学手段与方法:
采用黑板板书的方法讲授
本授课单元思考题、讨论题、作业:
思考题:习题2题和3题 作业题:习题1题和4题
本授课单元参考资料(含参考书、文献等,必要时可列出)
1.刘恩科,朱秉升等《半导体物理学》,电子工业出版社2005
2.田敬民,张声良《半导体物理学学习辅导与典型题解》电子工业出版社2005
3.施敏著,赵鹤鸣等译,《半导体器件物理与工艺》,苏州大学出版社,2002
4.方俊鑫,陆栋,《固体物理学》上海科学技术出版社
5.曾谨言,《量子力学》科学出版社
注:1.每单元页面大小可自行添减;2.一个授课单元为一个教案;3.“重点”、“难点”、“教学手段与方法”部分要尽量具体;4.授课类型指:理论课、讨论课、实验或实习课、练习或习题课。
授课类型:理论课 授课时间:2节
授课题目(教学章节或主题):
第三章半导体中的载流子的统计分布
3.2费米能级和载流子的统计分布
3.3本征半导体的载流子浓度
本授课单元教学目标或要求:
掌握导带中电子浓度和价带中的空穴浓度的计算方法,能熟练应用电子浓度和空穴浓度的公式分析问题、解决问题。理解和掌握本征半导体中的载流子浓度和费米能级的计算方法
本授课单元教学内容(包括基本内容、重点、难点,以及引导学生解决重点难点的方法、例题等):
1. 导带中电子浓度的公式推导、结果分析和应用(重点,难点)
2. 价带中空穴浓度的公式推导、结果分析和应用(重点,难点)
3. nc和nv的物理意义
4. 本征半导体的费米能级和载流子浓度(重点,难点)
结合上次课的物理概念,推导导带电子和价带空穴的浓度的计算公式,这是半导体中最重要的公式之一。交代清楚每一步的物理意义就容易理解推导的过程和结果。重点要求学生掌握结果的分析和应用。举3个实例让学生掌握公式的应用方法。
本授课单元教学手段与方法:
采用黑板板书的方法讲授
本授课单元思考题、讨论题、作业:
思考题:补充 作业题:习题6题和7题
本授课单元参考资料(含参考书、文献等,必要时可列出)
1.刘恩科,朱秉升等《半导体物理学》,电子工业出版社2005
2.田敬民,张声良《半导体物理学学习辅导与典型题解》电子工业出版社2005
3.施敏著,赵鹤鸣等译,《半导体器件物理与工艺》,苏州大学出版社,2002
4.方俊鑫,陆栋,《固体物理学》上海科学技术出版社
5.曾谨言,《量子力学》科学出版社
注:1.每单元页面大小可自行添减;2.一个授课单元为一个教案;3.“重点”、“难点”、“教学手段与方法”部分要尽量具体;4.授课类型指:理论课、讨论课、实验或实习课、练习或习题课。
授课类型:理论课 授课时间:2节
授课题目(教学章节或主题):
第三章半导体中的载流子的统计分布
3.4杂质半导体的载流子浓度
本授课单元教学目标或要求:
理解和掌握杂质半导体中的载流子浓度和费米能级在不同温度和不同掺杂浓度下的计算和分析方法,并能用图示的方法画出不同温度下杂质的电离和载流子分布的示意图,能画出费米能级和载流子浓度随温度和掺杂浓度的变化图
本授课单元教学内容(包括基本内容、重点、难点,以及引导学生解决重点难点的方法、例题等):
1.杂质能级上的电子和空穴
2.n型半导体的载流子浓度:分五个温区分析,分别是低温弱电离区,中间电离区,强电离区,过渡区和高温本征激发区(重点和难点)
3.上述分析方法和结果可类比于p型半导体
4.少数载流子的浓度
课堂上尽可能把抽象的结果用直观图示的方法表达出来,结合2个实例教学生分析问题的方法。本授课单元教学手段与方法:
采用黑板板书的方法讲授
本授课单元思考题、讨论题、作业:
思考题:补充题 作业题:习题9,13
本授课单元参考资料(含参考书、文献等,必要时可列出)
1.刘恩科,朱秉升等《半导体物理学》,电子工业出版社2005
2.田敬民,张声良《半导体物理学学习辅导与典型题解》电子工业出版社2005
3.施敏著,赵鹤鸣等译,《半导体器件物理与工艺》,苏州大学出版社,2002
4.方俊鑫,陆栋,《固体物理学》上海科学技术出版社
5.曾谨言,《量子力学》科学出版社
注:1.每单元页面大小可自行添减;2.一个授课单元为一个教案;3.“重点”、“难点”、“教学手段与方法”部分要尽量具体;4.授课类型指:理论课、讨论课、实验或实习课、练习或习题课。
授课类型:理论课 授课时间:2节
授课题目(教学章节或主题):
第三章半导体中的载流子的统计分布
3.4杂质半导体的载流子浓度
3.5一般情况下的载流子统计分布
本授课单元教学目标或要求:
一节课用于复习总结上次课的重点,再讲2个例题,加深学生对问题的理解和掌握。
理解在同时含有失主和受主杂质的半导体中,利用电中性条件,求解不同温度下载流子浓度和费米能级位置的方法
本授课单元教学内容(包括基本内容、重点、难点,以及引导学生解决重点难点的方法、例题等):
1.总结和分析3.4节的主要结果,讲解例题
2.分析在同时含有失主和受主杂质的一般情况下,求解不同温度下载流子浓度和费米能级位置的方法(难点)
着重分析物理方法和思想,不需记忆很烦琐的数学公式。
本授课单元教学手段与方法:
采用黑板板书的方法讲授
本授课单元思考题、讨论题、作业:
讨论题:习题15 作业题:习题14,18
本授课单元参考资料(含参考书、文献等,必要时可列出)
1.刘恩科,朱秉升等《半导体物理学》,电子工业出版社2005
2.田敬民,张声良《半导体物理学学习辅导与典型题解》电子工业出版社2005
3.施敏著,赵鹤鸣等译,《半导体器件物理与工艺》,苏州大学出版社,2002
4.方俊鑫,陆栋,《固体物理学》上海科学技术出版社
5.曾谨言,《量子力学》科学出版社
注:1.每单元页面大小可自行添减;2.一个授课单元为一个教案;3.“重点”、“难点”、“教学手段与方法”部分要尽量具体;4.授课类型指:理论课、讨论课、实验或实习课、练习或习题课。
授课类型:理论课 授课时间:2节
授课题目(教学章节或主题):
第三章半导体中的载流子的统计分布
3.6简并半导体
本授课单元教学目标或要求:
理解简并半导体的定义和简并化的条件;掌握简并半导体载流子浓度的计算方法。了解低温载流子冻析效应和禁带变窄效应。
本授课单元教学内容(包括基本内容、重点、难点,以及引导学生解决重点难点的方法、例题等):
1. 简并半导体的载流子浓度
2. 简并化条件(重点)
3. 低温载流子冻析效应
4.禁带变窄效应
本授课单元教学手段与方法:
采用黑板板书的方法讲授
本授课单元思考题、讨论题、作业:
作业题:习题20,21
本授课单元参考资料(含参考书、文献等,必要时可列出)
1.刘恩科,朱秉升等《半导体物理学》,电子工业出版社2005
2.田敬民,张声良《半导体物理学学习辅导与典型题解》电子工业出版社2005
3.施敏著,赵鹤鸣等译,《半导体器件物理与工艺》,苏州大学出版社,2002
4.方俊鑫,陆栋,《固体物理学》上海科学技术出版社
5.曾谨言,《量子力学》科学出版社
注:1.每单元页面大小可自行添减;2.一个授课单元为一个教案;3.“重点”、“难点”、“教学手段与方法”部分要尽量具体;4.授课类型指:理论课、讨论课、实验或实习课、练习或习题课。
授课类型:理论课 授课时间:2节
授课题目(教学章节或主题):
习题课
本授课单元教学目标或要求:
总结第一到第三章的主要概念、理论和公式
讲解习题中存在的主要问题,讲解课外例题
本授课单元教学内容(包括基本内容、重点、难点,以及引导学生解决重点难点的方法、例题等): 总结第一到第三章的主要概念、理论和公式
讲解习题中存在的主要问题,讲解课外例题
本授课单元教学手段与方法:
采用ppt课件和黑板板书相结合的方法讲授
1.2.出版社2005
3.2002
4.本授课单元思考题、讨论题、作业: 作业题:复习1-3章。本授课单元参考资料(含参考书、文献等,必要时可列出)刘恩科,朱秉升等《半导体物理学》,电子工业出版社2005 田敬民,张声良《半导体物理学学习辅导与典型题解》电子工业施敏著,赵鹤鸣等译,《半导体器件物理与工艺》,苏州大学出版社,方俊鑫,陆栋,《固体物理学》上海科学技术出版社 .曾谨言,《量子力学》科学出版社
注:1.每单元页面大小可自行添减;2.一个授课单元为一个教案;3.“重点”、“难点”、“教学手段与方法”部分要尽量具体;4.授课类型指:理论课、讨论课、实验或实习课、练习或习题课。
授课类型:理论课 授课时间:2节
授课题目(教学章节或主题):
第四章半导体的导电性
4.1载流子的漂移运动和迁移率
4.2载流子的散射
本授课单元教学目标或要求:
理解半导体中的漂移运动和描述漂移运动的物理量-迁移率,掌握半导体的电导率与迁移率的关系式。理解半导体中载流子散射的概念,了解半导体中主要的散射机构。
本授课单元教学内容(包括基本内容、重点、难点,以及引导学生解决重点难点的方法、例题等):
1. 欧姆定律的微分形式
2. 半导体中的漂移运动-漂移速度和迁移率(重点)
3.半导体的电导率和迁移率的关系(重点)
4.载流子散射的概念
5.半导体中主要的散射机构
本授课单元教学手段与方法:
采用ppt课件和黑板板书相结合的方法讲授
本授课单元思考题、讨论题、作业:
思考题: 习题1 讨论题: 作业题:习题2,4,7
本授课单元参考资料(含参考书、文献等,必要时可列出)
1.刘恩科,朱秉升等《半导体物理学》,电子工业出版社2005
2.田敬民,张声良《半导体物理学学习辅导与典型题解》电子工业出版社2005
3.施敏著,赵鹤鸣等译,《半导体器件物理与工艺》,苏州大学出版社,2002
4.方俊鑫,陆栋,《固体物理学》上海科学技术出版社
5.曾谨言,《量子力学》科学出版社
注:1.每单元页面大小可自行添减;2.一个授课单元为一个教案;3.“重点”、“难点”、“教学手段与方法”部分要尽量具体;4.授课类型指:理论课、讨论课、实验或实习课、练习或习题课。
授课类型:理论课 授课时间:2节
授课题目(教学章节或主题):
第四章半导体的导电性
4.3迁移率与杂质浓度和温度的关系
4.4电阻率及其与杂质浓度和温度关系
本授课单元教学目标或要求:
掌握半导体的迁移率与杂质浓度和温度的关系
掌握半导体的电阻率与杂质浓度和温度关系
本授课单元教学内容(包括基本内容、重点、难点,以及引导学生解决重点难点的方法、例题等):
1. 平均自由时间和散射概率的关系
2. 迁移率与平均自由时间的关系
3. 迁移率与杂质和温度的关系(重点)
4. 电阻率与杂质浓度的关系(重点)
5. 电阻率随温度的变化(重点)
例题:144页9,16,17
本授课单元教学手段与方法:
采用ppt课件和黑板板书相结合的方法讲授
本授课单元思考题、讨论题、作业:
思考题:习题12 讨论题: 作业题:习题13,15,18
本授课单元参考资料(含参考书、文献等,必要时可列出)
1.刘恩科,朱秉升等《半导体物理学》,电子工业出版社2005
2.田敬民,张声良《半导体物理学学习辅导与典型题解》电子工业出版社2005
3.施敏著,赵鹤鸣等译,《半导体器件物理与工艺》,苏州大学出版社,2002
4.方俊鑫,陆栋,《固体物理学》上海科学技术出版社
5.曾谨言,《量子力学》科学出版社
注:1.每单元页面大小可自行添减;2.一个授课单元为一个教案;3.“重点”、“难点”、“教学手段与方法”部分要尽量具体;4.授课类型指:理论课、讨论课、实验或实习课、练习或习题课。
授课类型:理论课 授课时间:2节
授课题目(教学章节或主题):
第五章非平衡载流子
5.1非平衡载流子的注入与复合5.2非平衡载流子的寿命
5.3准费米能级
本授课单元教学目标或要求:
理解非平衡载流子的概念,非平衡载流子的产生、复合和寿命;理解小注入和大注入的概念和条件,理解准费米能级的概念和非平衡状态下载流子浓度的表达式
本授课单元教学内容(包括基本内容、重点、难点,以及引导学生解决重点难点的方法、例题等):
1.非平衡载流子的概念
2.举例说明非平衡载流子的产生和复合过程(重点)
3.小注入和大注入的概念和条件
4.非平衡载流子的寿命(重点)
5.准费米能级(难点)
6.非平衡状态下载流子浓度的表达式(重点)
上述这些概念是半导体物理中最重要的基本概念,这次课的重点是让学生理解和掌握这些概念及其物理意义。
本授课单元教学手段与方法:
采用黑板板书的方法讲授
本授课单元思考题、讨论题、作业:
思考题:习题1 讨论题:习题6 作业题:习题2,4,7
本授课单元参考资料(含参考书、文献等,必要时可列出)
1.刘恩科,朱秉升等《半导体物理学》,电子工业出版社2005
2.田敬民,张声良《半导体物理学学习辅导与典型题解》电子工业出版社2005
3.施敏著,赵鹤鸣等译,《半导体器件物理与工艺》,苏州大学出版社,2002
4.方俊鑫,陆栋,《固体物理学》上海科学技术出版社
5.曾谨言,《量子力学》科学出版社
注:1.每单元页面大小可自行添减;2.一个授课单元为一个教案;3.“重点”、“难点”、“教学手段与方法”部分要尽量具体;4.授课类型指:理论课、讨论课、实验或实习课、练习或习题课。
授课类型:理论课 授课时间:2节
授课题目(教学章节或主题):
第五章非平衡载流子
5.4 复合理论
本授课单元教学目标或要求:
理解半导体中的直接复合、间接复合、表面复合和俄歇复合的基本概念。
本授课单元教学内容(包括基本内容、重点、难点,以及引导学生解决重点难点的方法、例题等):
1.直接复合2.间接复合3.表面复合4.俄歇复合本授课单元教学手段与方法:
采用黑板板书的方法讲授
本授课单元思考题、讨论题、作业:
思考题: 1 讨论题:习题8 作业题:习题9,10,12
本授课单元参考资料(含参考书、文献等,必要时可列出)
1.刘恩科,朱秉升等《半导体物理学》,电子工业出版社2005
2.田敬民,张声良《半导体物理学学习辅导与典型题解》电子工业出版社2005
3.施敏著,赵鹤鸣等译,《半导体器件物理与工艺》,苏州大学出版社,2002
4.方俊鑫,陆栋,《固体物理学》上海科学技术出版社
5.曾谨言,《量子力学》科学出版社
注:1.每单元页面大小可自行添减;2.一个授课单元为一个教案;3.“重点”、“难点”、“教学手段与方法”部分要尽量具体;4.授课类型指:理论课、讨论课、实验或实习课、练习或习题课。
5.5.6
际问题 授课类型:理论课 授课时间:2节 授课题目(教学章节或主题): 第五章非平衡载流子 陷阱效应 载流子的扩散运动 本授课单元教学目标或要求: 了解半导体的陷阱效应 理解和掌握非平衡少数载流子的稳定扩散方程,能用扩散方程求解实
本授课单元教学内容(包括基本内容、重点、难点,以及引导学生解决重点难点的方法、例题等):
1.陷阱效应
2.非平衡少数载流子的扩散定律
3.非平衡少数载流子的稳态扩散方程(重点)
4.稳态扩散方程的应用(重点,难点)
举例讲解稳态方程的应用,基本方法:根据具体问题写出稳态方程的具体表达式和边界条件写出方程的通解,代入边界条件求具体的解。
本授课单元教学手段与方法:
采用黑板板书的方法讲授
本授课单元思考题、讨论题、作业:
讨论题:15 作业题:习题13,14,16
本授课单元参考资料(含参考书、文献等,必要时可列出)
1.刘恩科,朱秉升等《半导体物理学》,电子工业出版社2005
2.田敬民,张声良《半导体物理学学习辅导与典型题解》电子工业出版社2005
3.施敏著,赵鹤鸣等译,《半导体器件物理与工艺》,苏州大学出版社,2002
4.方俊鑫,陆栋,《固体物理学》上海科学技术出版社
5.曾谨言,《量子力学》科学出版社
注:1.每单元页面大小可自行添减;2.一个授课单元为一个教案;3.“重点”、“难点”、“教学手段与方法”部分要尽量具体;4.授课类型指:理论课、讨论课、实验或实习课、练习或习题课。
授课类型:理论课 授课时间:2节
授课题目(教学章节或主题):
第五章非平衡载流子
5.7载流子的漂移运动、爱因斯坦关系式
5.8连续性方程式
本授课单元教学目标或要求:
理解载流子的漂移运动和漂移电流表达式
掌握爱因斯坦关系式
掌握连续性方程及其应用
本授课单元教学内容(包括基本内容、重点、难点,以及引导学生解决重点难点的方法、例题等):
1.载流子的漂移运动
2.爱因斯坦关系式(重点)
3.连续性方程式(重点,难点)1.2.出版社2005 . 连续性方程应用举例(难点)通过例题分析让学生学习连续性方程及其应用 本授课单元教学手段与方法: 采用ppt课件和黑板板书相结合的方法讲授 本授课单元思考题、讨论题、作业: 思考题:习题15 讨论题: 作业题:补充2个课外作业题 本授课单元参考资料(含参考书、文献等,必要时可列出)刘恩科,朱秉升等《半导体物理学》,电子工业出版社2005 田敬民,张声良《半导体物理学学习辅导与典型题解》电子工业
3.施敏著,赵鹤鸣等译,《半导体器件物理与工艺》,苏州大学出版社,2002
4.方俊鑫,陆栋,《固体物理学》上海科学技术出版社
5.曾谨言,《量子力学》科学出版社
注:1.每单元页面大小可自行添减;2.一个授课单元为一个教案;3.“重点”、“难点”、“教学手段与方法”部分要尽量具体;4.授课类型指:理论课、讨论课、实验或实习课、练习或习题课。
授课类型:理论课 授课时间:2节
授课题目(教学章节或主题):
第四、五章习题课
本授课单元教学目标或要求:
对第四、第五章的基本概念、理论和公式进行总结
讲解第四、五章的习题课
本授课单元教学内容(包括基本内容、重点、难点,以及引导学生解决重点难点的方法、例题等):
1.对第四、第五章的基本概念、理论和公式进行总结
2.讲解第四、五章的习题课
本授课单元教学手段与方法:
采用ppt课件和黑板板书相结合的方法讲授
本授课单元思考题、讨论题、作业:
作业题:复习第四、第五章的内容。
本授课单元参考资料(含参考书、文献等,必要时可列出)
1.刘恩科,朱秉升等《半导体物理学》,电子工业出版社2005
2.田敬民,张声良《半导体物理学学习辅导与典型题解》电子工业出版社2005
3.施敏著,赵鹤鸣等译,《半导体器件物理与工艺》,苏州大学出版社,2002
4.方俊鑫,陆栋,《固体物理学》上海科学技术出版社
5.曾谨言,《量子力学》科学出版社
注:1.每单元页面大小可自行添减;2.一个授课单元为一个教案;3.“重点”、“难点”、“教学手段与方法”部分要尽量具体;4.授课类型指:理论课、讨论课、实验或实习课、练习或习题课。
授课类型:理论课 授课时间:2节
授课题目(教学章节或主题):
第六章 pn结
6.1 pn结及其能带图
本授课单元教学目标或要求:
掌握pn结的形成过程、能带图、接触电势差和和载流子的分布
本授课单元教学内容(包括基本内容、重点、难点,以及引导学生解决重点难点的方法、例题等):
1. pn结的形成和杂质分布
2. pn结的能带图(重点,难点)
3. pn结的接触电势差(重点)
4. pn结的载流子分布(重点,难点)
本授课单元教学手段与方法:
采用ppt课件和黑板板书相结合的方法讲授
1.2.出版社2005
3.2002
4.本授课单元思考题、讨论题、作业: 讨论题:习题2,3 作业题:习题1,补充1题 本授课单元参考资料(含参考书、文献等,必要时可列出)刘恩科,朱秉升等《半导体物理学》,电子工业出版社2005 田敬民,张声良《半导体物理学学习辅导与典型题解》电子工业施敏著,赵鹤鸣等译,《半导体器件物理与工艺》,苏州大学出版社,方俊鑫,陆栋,《固体物理学》上海科学技术出版社 .曾谨言,《量子力学》科学出版社